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charged systems (electrostatic interaction修正) 已有1人参与
本人初学VASP,最近遇到了一个非常棘手的问题（计算charged defects的corrections,进而得到氧空位的形成能）。想请万能的木虫们指点指点。
看了一些文献，也看了VASP手册总结如下（如有错误，请大家批评指正！）
1. VASP的计算过程大致是： （ http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp ... LDIPOL_EPSILON.html）
step1,先要计算体系的介电常数 LEPSILON = .TRUE.
step2, LDIPOL = .TRUE. (LMONO = .TRUE)
DIPOL= center of mass
IDIPOL = 1-4
2.不怎么明白LDIPOL和LMONO的区别是什么。（只知道是单极和偶极子的区别）
3.以前计算含有氧空位的体系时，如果超包比较大，能量总是不好收敛。我估摸着也与此有关。大家有解决的方法吗？
4.我最主要的目的是计算charged defect的formation energy，我学习的是附件的一片文献。但是不大明白。还请虫友们提点！ |
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