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djh434325996

木虫 (小有名气)

[求助] charged systems (electrostatic interaction修正) 已有1人参与

本人初学VASP,最近遇到了一个非常棘手的问题(计算charged defects的corrections,进而得到氧空位的形成能)。想请万能的木虫们指点指点。
看了一些文献,也看了VASP手册总结如下(如有错误,请大家批评指正!)
1.   VASP的计算过程大致是:        (   http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp ... LDIPOL_EPSILON.html)
     step1,先要计算体系的介电常数 LEPSILON = .TRUE.
     step2,    LDIPOL = .TRUE.   (LMONO = .TRUE)
                  DIPOL= center of mass
                  IDIPOL = 1-4
2.不怎么明白LDIPOL和LMONO的区别是什么。(只知道是单极和偶极子的区别)

3.以前计算含有氧空位的体系时,如果超包比较大,能量总是不好收敛。我估摸着也与此有关。大家有解决的方法吗?

4.我最主要的目的是计算charged defect的formation energy,我学习的是附件的一片文献。但是不大明白。还请虫友们提点!
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vasp001

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
ljw4010: 金币+2, 谢谢交流! 2015-04-30 20:39:46
不好收敛,可以逐步增大所带电量,并读取小电量的波函数,这样,能够改进收敛。
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
2楼2015-04-29 16:22:06
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djh434325996

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 16:22:06
不好收敛,可以逐步增大所带电量,并读取小电量的波函数,这样,能够改进收敛。

您说的是,先在INCAR里面将NELECT参数设置成较小的值?
3楼2015-04-29 19:48:25
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vasp001

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
djh434325996: 金币+10, ★★★很有帮助 2015-04-29 21:24:21
引用回帖:
3楼: Originally posted by djh434325996 at 2015-04-29 19:48:25
您说的是,先在INCAR里面将NELECT参数设置成较小的值?...

对。可以加分数电荷的,电荷可以一点点的加上去,在读以前的波函数,就OK了。
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
4楼2015-04-29 21:23:24
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djh434325996

木虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 21:23:24
对。可以加分数电荷的,电荷可以一点点的加上去,在读以前的波函数,就OK了。...

恩,明白了。你做过类似的计算?一般从多少个电子开始,步涨多少比较合适。结构优化和自洽都可以用这种方法吗?
5楼2015-04-29 21:28:40
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vasp001

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by djh434325996 at 2015-04-29 21:28:40
恩,明白了。你做过类似的计算?一般从多少个电子开始,步涨多少比较合适。结构优化和自洽都可以用这种方法吗?...

具体体系,我做过石墨烯中单点缺陷,直接用载流子掺杂,调制电子结构的。
我加的比较慢,每次加了0.02 e,这样累计加 1.6 e.
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
6楼2015-04-29 22:58:40
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djh434325996

木虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 22:58:40
具体体系,我做过石墨烯中单点缺陷,直接用载流子掺杂,调制电子结构的。
我加的比较慢,每次加了0.02 e,这样累计加 1.6 e....

7楼2015-04-30 11:43:31
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