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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » charged systems (electrostatic interaction修正)
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djh434325996

木虫 (小有名气)

[求助] charged systems (electrostatic interaction修正) 已有1人参与

本人初学VASP,最近遇到了一个非常棘手的问题（计算charged defects的corrections,进而得到氧空位的形成能）。想请万能的木虫们指点指点。
看了一些文献，也看了VASP手册总结如下（如有错误，请大家批评指正！）
1.   VASP的计算过程大致是：        （   http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp ... LDIPOL_EPSILON.html）
     step1,先要计算体系的介电常数 LEPSILON = .TRUE.
     step2,    LDIPOL = .TRUE.   (LMONO = .TRUE)
                  DIPOL= center of mass
                  IDIPOL = 1-4
2.不怎么明白LDIPOL和LMONO的区别是什么。（只知道是单极和偶极子的区别）

3.以前计算含有氧空位的体系时，如果超包比较大，能量总是不好收敛。我估摸着也与此有关。大家有解决的方法吗？

4.我最主要的目的是计算charged defect的formation energy，我学习的是附件的一片文献。但是不大明白。还请虫友们提点！
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1楼 2015-04-29 15:46:39
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djh434325996

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 16:22:06
不好收敛，可以逐步增大所带电量，并读取小电量的波函数，这样，能够改进收敛。

您说的是，先在INCAR里面将NELECT参数设置成较小的值？
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3楼2015-04-29 19:48:25
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djh434325996

木虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 21:23:24
对。可以加分数电荷的，电荷可以一点点的加上去，在读以前的波函数，就OK了。...

恩，明白了。你做过类似的计算？一般从多少个电子开始，步涨多少比较合适。结构优化和自洽都可以用这种方法吗？
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5楼2015-04-29 21:28:40
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djh434325996

木虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 22:58:40
具体体系，我做过石墨烯中单点缺陷，直接用载流子掺杂，调制电子结构的。
我加的比较慢，每次加了0.02 e，这样累计加 1.6 e....

7楼2015-04-30 11:43:31
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