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金虫 (小有名气)

[求助] 单晶硅电池的腐蚀

扩散后的P型硅成了n-p-n,现想把一层n腐蚀掉,如何在实验室没有刻蚀设备的条件下,比较理想的刻蚀掉这层n。溶液只用HF+HNO3可以吗,具体的配比或者腐蚀速率什么的有参考数据吗
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不要做让自己看不起的事情
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