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shaoweina

金虫 (初入文坛)

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[求助] 关于硅片表面疏水性处理的问题，20金币，谢谢指点已有1人参与

从spi购买的silicon wafer希望通过处理能够实现疏水性表面。查文献知道一般是通过两步实现，首先通过浓硫酸+双氧水处理，除掉表面氧化层，并且引入羟基，第二步通过硅烷偶联试剂（含烷基链）浸泡较短时间即可得到疏水性表面。比如二氯硅烷。

我已经能够通过第一步实现亲水性硅表面，接触角10左右。第二步能否给一个比较详细的步骤介绍，越详细越好，非常感谢。如果有用会另有金币赠送，借来的账号，送50金币吧。因为文献中说的比较简单，但是有人说需要注意防水，反应时间影响也很大。
问题
1 最常用的硅烷偶联试剂有哪些，需要接触角80左右，并且容易操作，最好有
2 一般文献中讲需要将硅片在硅烷偶联试剂中浸泡，需要浸泡多少时间，浓度是多少？常用的溶剂是什么？

非常感谢！

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1楼2012-06-14 16:02:18

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zihua886

铁杆木虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1

其他的硅烷试剂我不太清楚，我就知道类似APTMS的，也就是氨基后者巯基甲氧基硅烷系列。一般都用的是醇做溶剂吧，在常温下缓慢搅拌10小时以上就能很好的键合；也可以先常温搅拌1小时左右，再升温至60度以上保持半小时以促进共价键结合。文献报道这样可以在表面覆盖4-6层单分子层，然后离心4次以上除去多余的偶联剂。也有用甲苯作溶剂的，具体条件和温度我记不清楚了不好意思。