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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 光学材料 » 【求助】非晶、微晶、多晶、单晶硅光学能隙的区别？
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worry

[交流] 【求助】非晶、微晶、多晶、单晶硅光学能隙的区别？已有4人参与

请问为什么非晶硅转变为微晶硅后，光学能隙要变大？
而当晶化程度继续将强，成为多晶硅或单晶硅时，光学能隙却要降低？

谢谢啊！
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cord

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1楼2010-06-01 23:55:26
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cord

铁杆木虫 (著名写手)
错了。
非晶的光学带隙是1.75eV， 微晶硅的光学带隙近似认为是跟多晶和单结差不多，是1.1eV左右。哪个大？
从非晶到微晶光学带隙是有个跳变，不过现在还不是很清楚这个跳变的原先以及具体位置。
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2楼2010-06-02 00:02:58
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worry

re

我们测得的微晶硅或者说是纳米晶硅比非晶硅的光学能隙大
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3楼2010-06-02 00:27:38
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mruniverse

木虫 (小有名气)

娃的爹
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
你们是怎么测的？不会是测试时有些参数没考虑到吧？
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以后是做爹的人啦
4楼2010-06-03 10:40:30
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o疯风o

铁虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
微晶硅带隙比非晶硅大师好事啊，适合pin电池的窗口层，你们的实验数据还有么？
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amophoussolarcell,simiulation
5楼2014-11-04 17:56:57
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cord

铁杆木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
送红花一朵
非晶硅硅中有微小晶粒的时候，光学带隙是比纯的非晶硅（1.75eV) 要大，可以接近2.0eV，有种说法是量子效应导致的，不过具体还不清楚。
当晶粒为主， 非晶硅其填充作用时，光学带隙就跟晶体硅差不多，1.1eV，从器件的量子效应看也是跟晶体硅接近，材料的光热偏转谱也说明光学带隙接近1.1eV；而透射和反射谱计算到的光学带隙在2.0eV左右，这个计算不对，只作参考用。
晶粒再大，光学带隙更接近于单晶硅的1.1eV。
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6楼2014-11-05 01:22:03
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