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worry

[交流] 【求助】非晶、微晶、多晶、单晶硅光学能隙的区别? 已有4人参与

请问为什么非晶硅转变为微晶硅后,光学能隙要变大?
而当晶化程度继续将强,成为多晶硅或单晶硅时,光学能隙却要降低?

谢谢啊!
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


错了。
非晶的光学带隙是1.75eV, 微晶硅的光学带隙近似认为是跟多晶和单结差不多,是1.1eV左右。哪个大?
从非晶到微晶光学带隙是有个跳变,不过现在还不是很清楚这个跳变的原先以及具体位置。
2楼2010-06-02 00:02:58
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worry

re

我们测得的微晶硅或者说是纳米晶硅比非晶硅的光学能隙大
3楼2010-06-02 00:27:38
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mruniverse

木虫 (小有名气)

娃的爹


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
你们是怎么测的?不会是测试时有些参数没考虑到吧?
以后是做爹的人啦
4楼2010-06-03 10:40:30
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o疯风o

铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
微晶硅带隙比非晶硅大师好事啊,适合pin电池的窗口层,你们的实验数据还有么?
amophoussolarcell,simiulation
5楼2014-11-04 17:56:57
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cord

铁杆木虫 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
送红花一朵
非晶硅硅中有微小晶粒的时候,光学带隙是比纯的非晶硅(1.75eV) 要大,可以接近2.0eV,有种说法是量子效应导致的,不过具体还不清楚。
当晶粒为主, 非晶硅其填充作用时,光学带隙就跟晶体硅差不多,1.1eV,从器件的量子效应看也是跟晶体硅接近,材料的光热偏转谱也说明光学带隙接近1.1eV;而透射和反射谱计算到的光学带隙在2.0eV左右,这个计算不对,只作参考用。
晶粒再大,光学带隙更接近于单晶硅的1.1eV。
6楼2014-11-05 01:22:03
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