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worry

[交流] 【求助】非晶、微晶、多晶、单晶硅光学能隙的区别? 已有4人参与

请问为什么非晶硅转变为微晶硅后,光学能隙要变大?
而当晶化程度继续将强,成为多晶硅或单晶硅时,光学能隙却要降低?

谢谢啊!
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worry

re

我们测得的微晶硅或者说是纳米晶硅比非晶硅的光学能隙大
3楼2010-06-02 00:27:38
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


错了。
非晶的光学带隙是1.75eV, 微晶硅的光学带隙近似认为是跟多晶和单结差不多,是1.1eV左右。哪个大?
从非晶到微晶光学带隙是有个跳变,不过现在还不是很清楚这个跳变的原先以及具体位置。
2楼2010-06-02 00:02:58
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mruniverse

木虫 (小有名气)

娃的爹


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
你们是怎么测的?不会是测试时有些参数没考虑到吧?
以后是做爹的人啦
4楼2010-06-03 10:40:30
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o疯风o

铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
微晶硅带隙比非晶硅大师好事啊,适合pin电池的窗口层,你们的实验数据还有么?
amophoussolarcell,simiulation
5楼2014-11-04 17:56:57
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