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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 基础研究 » 关于扩展位错的表征以及层错能
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orangeoffan

捐助贵宾 (初入文坛)

[交流] 关于扩展位错的表征以及层错能

浅读了一下层错方面的资料，有几个个问题一直想不明白：
1：层错能低，容易再结晶。解释：层错能低，扩展位错宽度增加，位错难以束集，因此位错难以进行滑移、攀移动，因此无法进行回复，因此容易再结晶。
我的问题是：再结晶难道不需要位错的运动吗？再结晶形成的晶界也是由位错墙演变而来的，层错能低，位错运动困难，还怎么再结晶啊？
2：HCP例如镁合金中有扩展位错吗，可以通过TEM拍到它的宽度吗？
3：有没有一些可以表征层错能，并且很简单的一些实验？
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1楼 2015-03-25 21:57:56
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mzhyan

至尊木虫 (文坛精英)
★
orangeoffan(金币+1): 谢谢参与
blessing
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12楼2015-03-25 23:22:56
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remex

金虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
怎么没讨论的，全是握手啊，不过我也不知道

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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17楼2015-03-26 07:42:32
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1152393746

新虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
表征层错能可以采用透射，测量不全位错宽度，利用公式计算
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18楼2016-09-26 17:34:37
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shenrenren2楼
2015-03-25 22:31   回复  
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于士辉3楼
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关西刀客4楼
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tzynew5楼
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jixiangbao6楼
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fln漂流瓶7楼
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z壮壮8楼
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月伴沙滩9楼
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dmbb10楼
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syhorchid11楼
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rurutia5113楼
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caledonian14楼
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Jameskelly15楼
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star_zhang16楼
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