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orangeoffan

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[交流] 关于扩展位错的表征以及层错能

浅读了一下层错方面的资料，有几个个问题一直想不明白：
1：层错能低，容易再结晶。解释：层错能低，扩展位错宽度增加，位错难以束集，因此位错难以进行滑移、攀移动，因此无法进行回复，因此容易再结晶。
我的问题是：再结晶难道不需要位错的运动吗？再结晶形成的晶界也是由位错墙演变而来的，层错能低，位错运动困难，还怎么再结晶啊？
2：HCP例如镁合金中有扩展位错吗，可以通过TEM拍到它的宽度吗？
3：有没有一些可以表征层错能，并且很简单的一些实验？

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