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chuyezuo

铁虫 (小有名气)

[交流] 【讨论】影响晶体层错能的因素有哪些? 已有8人参与

除了我知道的晶体结构,还有哪些因素会影响晶体的层错能?晶粒尺寸、位错结构?有没有牛人知道啊?
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comma

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材料人


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
一般来讲,层错是晶体的秉性属性。层错能是原子错排引起的应变能和界面能。对于纯金属其层错能在某固定温度大约是常量。
影响某晶体层错能大小的因素主要有外加合金元素、温度和压力,与晶粒大小似乎没有直接联系,与位错结构有些关系,在于扩展位错形成能的大小。温度和压力等外界因素会改变原子间距, 从而改变原子直径和点阵常数。
每天一小步也有新高度
3楼2011-03-29 01:21:24
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comma

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材料人


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
xucz(EPI+1): 金属版首枚EPI 2011-04-01 11:12:06
引用回帖:
Originally posted by chuyezuo at 2011-03-29 09:27:13:
我做的是剧烈塑性变形,变形之后金属的位错密度增加,形成很多亚结构,这些会对原来金属的层错能造成影响吗?

晶体材料变形位错密度必然增加,不影响层错能的大小。形变之后形成位错组态,一定会有很多亚结构,如位错缠结、位错墙、胞壁等显微形貌。
对于层错能,若材料层错能小,使得加工硬化率提高。理由是层错能小,形变使得层错出现几率增高,层错作为面缺陷抑制位错运动,位错塞积强化。若层错能高,位错容易交滑移或者扩展位错较易束集,交滑移容易发生,加工硬化滞后。
当然,形变引起的点缺陷会稍微影响层错能的大小,但是应该不是显著的。

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每天一小步也有新高度
6楼2011-03-29 11:49:14
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comma

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材料人


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引用回帖:
1292997楼: Originally posted by lbjcqu at 2013-03-27 19:49:46
“理由是层错能小,形变使得层错出现几率增高,层错作为面缺陷抑制位错运动,位错塞积强化”,老师,这个是否有文献支持呢?这样的话,层错能小抑制位错运动,也会抑制再结晶,层错也会抑制再结晶晶粒的长大吧?...

层错能小的金属易再结晶,因为加速形成大取向梯度区;再结晶需要一定温度降低层错能,而且再结晶晶粒长大是晶界能减少为驱动,是晶界迁移的过程与层错无关联。
每天一小步也有新高度
9楼2013-03-27 22:59:27
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cameron

木虫 (正式写手)

钢铁盒子: 奖励交流~ 2011-03-28 23:16:37
关注中……
得到的东西,就不要随便放弃
2楼2011-03-28 21:51:38
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chuyezuo

铁虫 (小有名气)

我做的是剧烈塑性变形,变形之后金属的位错密度增加,形成很多亚结构,这些会对原来金属的层错能造成影响吗?
4楼2011-03-29 09:27:13
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imrsfb

铁杆木虫 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
可参考金属所张哲峰研究组最近的spd文章
5楼2011-03-29 10:22:05
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doctall23

木虫 (著名写手)


学习了,感谢!
7楼2012-01-19 13:22:52
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lbjcqu

铁杆木虫 (著名写手)


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引用回帖:
47530楼: Originally posted by comma at 2011-03-29 11:49:14
晶体材料变形位错密度必然增加,不影响层错能的大小。形变之后形成位错组态,一定会有很多亚结构,如位错缠结、位错墙、胞壁等显微形貌。
对于层错能,若材料层错能小,使得加工硬化率提高。理由是层错能小,形变 ...

“理由是层错能小,形变使得层错出现几率增高,层错作为面缺陷抑制位错运动,位错塞积强化”,老师,这个是否有文献支持呢?这样的话,层错能小抑制位错运动,也会抑制再结晶,层错也会抑制再结晶晶粒的长大吧?
8楼2013-03-27 19:49:46
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lbjcqu

铁杆木虫 (著名写手)


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引用回帖:
1293012楼: Originally posted by comma at 2013-03-27 22:59:27
层错能小的金属易再结晶,因为加速形成大取向梯度区;再结晶需要一定温度降低层错能,而且再结晶晶粒长大是晶界能减少为驱动,是晶界迁移的过程与层错无关联。...

孟老师,层错作为面缺陷可以抑制位错运动,是不是也可以阻碍晶界的迁移呢?
10楼2013-03-28 10:40:21
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