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chuyezuo

铁虫 (小有名气)

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[交流] 【讨论】影响晶体层错能的因素有哪些？已有8人参与

除了我知道的晶体结构，还有哪些因素会影响晶体的层错能？晶粒尺寸、位错结构？有没有牛人知道啊？

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1楼2011-03-28 19:28:29

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lbjcqu

铁杆木虫 (著名写手)

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引用回帖:

47530楼: Originally posted by comma at 2011-03-29 11:49:14
晶体材料变形位错密度必然增加，不影响层错能的大小。形变之后形成位错组态，一定会有很多亚结构，如位错缠结、位错墙、胞壁等显微形貌。
对于层错能，若材料层错能小，使得加工硬化率提高。理由是层错能小，形变 ...

“理由是层错能小，形变使得层错出现几率增高，层错作为面缺陷抑制位错运动，位错塞积强化”，老师，这个是否有文献支持呢？这样的话，层错能小抑制位错运动，也会抑制再结晶，层错也会抑制再结晶晶粒的长大吧?

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8楼2013-03-27 19:49:46

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comma

专家顾问 (知名作家)

材料人

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一般来讲，层错是晶体的秉性属性。层错能是原子错排引起的应变能和界面能。对于纯金属其层错能在某固定温度大约是常量。
影响某晶体层错能大小的因素主要有外加合金元素、温度和压力，与晶粒大小似乎没有直接联系，与位错结构有些关系，在于扩展位错形成能的大小。温度和压力等外界因素会改变原子间距, 从而改变原子直径和点阵常数。

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