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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 基础研究 » 【讨论】影响晶体层错能的因素有哪些？
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chuyezuo

铁虫 (小有名气)

[交流] 【讨论】影响晶体层错能的因素有哪些？ 已有8人参与

除了我知道的晶体结构，还有哪些因素会影响晶体的层错能？晶粒尺寸、位错结构？有没有牛人知道啊？
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1楼 2011-03-28 19:28:29
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

comma

专家顾问 (知名作家)

材料人
★
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一般来讲，层错是晶体的秉性属性。层错能是原子错排引起的应变能和界面能。对于纯金属其层错能在某固定温度大约是常量。
影响某晶体层错能大小的因素主要有外加合金元素、温度和压力，与晶粒大小似乎没有直接联系，与位错结构有些关系，在于扩展位错形成能的大小。温度和压力等外界因素会改变原子间距, 从而改变原子直径和点阵常数。
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每天一小步也有新高度
3楼2011-03-29 01:21:24
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comma

专家顾问 (知名作家)

材料人
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
xucz(EPI+1): 金属版首枚EPI 2011-04-01 11:12:06
引用回帖:
Originally posted by chuyezuo at 2011-03-29 09:27:13:
我做的是剧烈塑性变形，变形之后金属的位错密度增加，形成很多亚结构，这些会对原来金属的层错能造成影响吗？

晶体材料变形位错密度必然增加，不影响层错能的大小。形变之后形成位错组态，一定会有很多亚结构，如位错缠结、位错墙、胞壁等显微形貌。
对于层错能，若材料层错能小，使得加工硬化率提高。理由是层错能小，形变使得层错出现几率增高，层错作为面缺陷抑制位错运动，位错塞积强化。若层错能高，位错容易交滑移或者扩展位错较易束集，交滑移容易发生，加工硬化滞后。
当然，形变引起的点缺陷会稍微影响层错能的大小，但是应该不是显著的。
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lbjcqu
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6楼2011-03-29 11:49:14
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comma

专家顾问 (知名作家)

材料人
★
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引用回帖:
1292997楼: Originally posted by lbjcqu at 2013-03-27 19:49:46
“理由是层错能小，形变使得层错出现几率增高，层错作为面缺陷抑制位错运动，位错塞积强化”，老师，这个是否有文献支持呢？这样的话，层错能小抑制位错运动，也会抑制再结晶，层错也会抑制再结晶晶粒的长大吧?...

层错能小的金属易再结晶，因为加速形成大取向梯度区；再结晶需要一定温度降低层错能，而且再结晶晶粒长大是晶界能减少为驱动，是晶界迁移的过程与层错无关联。
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9楼2013-03-27 22:59:27
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普通回帖

cameron

木虫 (正式写手)
钢铁盒子: 奖励交流~ 2011-03-28 23:16:37
关注中……
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得到的东西，就不要随便放弃
2楼2011-03-28 21:51:38
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chuyezuo

铁虫 (小有名气)
我做的是剧烈塑性变形，变形之后金属的位错密度增加，形成很多亚结构，这些会对原来金属的层错能造成影响吗？
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4楼2011-03-29 09:27:13
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imrsfb

铁杆木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
可参考金属所张哲峰研究组最近的spd文章
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5楼2011-03-29 10:22:05
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doctall23

木虫 (著名写手)
学习了，感谢！
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7楼2012-01-19 13:22:52
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lbjcqu

铁杆木虫 (著名写手)
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引用回帖:
47530楼: Originally posted by comma at 2011-03-29 11:49:14
晶体材料变形位错密度必然增加，不影响层错能的大小。形变之后形成位错组态，一定会有很多亚结构，如位错缠结、位错墙、胞壁等显微形貌。
对于层错能，若材料层错能小，使得加工硬化率提高。理由是层错能小，形变 ...

“理由是层错能小，形变使得层错出现几率增高，层错作为面缺陷抑制位错运动，位错塞积强化”，老师，这个是否有文献支持呢？这样的话，层错能小抑制位错运动，也会抑制再结晶，层错也会抑制再结晶晶粒的长大吧?
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8楼2013-03-27 19:49:46
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lbjcqu

铁杆木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
1293012楼: Originally posted by comma at 2013-03-27 22:59:27
层错能小的金属易再结晶，因为加速形成大取向梯度区；再结晶需要一定温度降低层错能，而且再结晶晶粒长大是晶界能减少为驱动，是晶界迁移的过程与层错无关联。...

孟老师，层错作为面缺陷可以抑制位错运动，是不是也可以阻碍晶界的迁移呢？
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10楼2013-03-28 10:40:21
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