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orangeoffan

捐助贵宾 (初入文坛)


[交流] 关于扩展位错的表征以及层错能

浅读了一下层错方面的资料,有几个个问题一直想不明白:
1:层错能低,容易再结晶。解释:层错能低,扩展位错宽度增加,位错难以束集,因此位错难以进行滑移、攀移动,因此无法进行回复,因此容易再结晶。
我的问题是:再结晶难道不需要位错的运动吗?再结晶形成的晶界也是由位错墙演变而来的,层错能低,位错运动困难,还怎么再结晶啊?
2:HCP例如镁合金中有扩展位错吗,可以通过TEM拍到它的宽度吗?
3:有没有一些可以表征层错能,并且很简单的一些实验?
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1152393746

新虫 (初入文坛)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
表征层错能可以采用透射,测量不全位错宽度,利用公式计算
18楼2016-09-26 17:34:37
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