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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 半导体能带结构相关问题
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求知3877

金虫 (小有名气)

[求助] 半导体能带结构相关问题 已有3人参与

有个疑问，有文献提到某些半导体既有直接带隙，同时又有间接带隙，不太明白。请了解相关知识的人，给简单的解释一下吧，谢谢啦！
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1楼 2015-03-02 18:01:45
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caohujia

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
求知3877: 金币+2, ★有帮助 2015-03-13 10:00:30
半导体的导带底与价带顶不再k空间的同一点的，是间接带隙半导体，这类半导体复合需要声子的参与，所以一般复合寿命较长。反之结束直接带隙了。
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2楼2015-03-04 13:23:34
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求知3877

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by caohujia at 2015-03-04 13:23:34
半导体的导带底与价带顶不再k空间的同一点的，是间接带隙半导体，这类半导体复合需要声子的参与，所以一般复合寿命较长。反之结束直接带隙了。

谢谢您的回答，但是CuSe一类的物质为什么文献里会Cu2-x
Se at x=0.2 has both a direct and an indirect band gap
of 2.2 and 1.4 eV, respectively. 难倒半导体不应该是直接带隙或者间接带隙吗，怎么会两者都有呢，不太理解。

另外，根据您的回答是不是意味着间接带隙半导体的电子要想激发到导带需要更多的能量？

谢谢！
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3楼2015-03-04 14:04:11
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1142211017

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
求知3877: 金币+3, ★有帮助 2015-03-13 10:00:57
若导带底和价带顶在空间相同的点，只要入射光子的能量大于等于禁带宽度能量，就可以使价电子跃迁到导带而产生出光生电子-空穴对，这种半导体称为直接带隙半导体，砷化镓就是典型的直接带隙半导体；如果导带底和价带顶位于空间不同点，这样的半导体称为间接带隙半导体，硅就是典型间接带隙半导体，入射光子的能量大于等于禁带宽度能量时，也不足以产生电子-空穴对。希望对您有帮助
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不要做让自己看不起的事情
4楼2015-03-04 14:41:52
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spiderman504

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
求知3877: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-03-13 10:01:04
引用回帖:
3楼: Originally posted by 求知3877 at 2015-03-04 14:04:11
谢谢您的回答，但是CuSe一类的物质为什么文献里会Cu2-x
Se at x=0.2 has both a direct and an indirect band gap
of 2.2 and 1.4 eV, respectively. 难倒半导体不应该是直接带隙或者间接带隙吗，怎么会两者都有 ...

这是说这种材料在发生带间跃迁的时候，这两种情况都有可能，即使是直接带隙的半导体通过掺杂也可能变成间接带隙的，取决于材料本身的能带结构，和两种机制的跃迁几率。
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由于您的签名过于个性，小木虫暂时无法显示。。。
5楼2015-03-04 16:22:28
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