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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 工艺技术 » 学习分享 » 单晶硅片清洗
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lishuai602

新虫 (初入文坛)

[求助] 单晶硅片清洗 已有3人参与

请问各位，谁能帮忙解释一下在单晶硅片清洗过程中，如果使用KOH和双氧水均匀混合的溶液清洗硅片，则硅片表现正常，不会发生腐蚀；但单独用KOH溶液清洗硅片，就会发生硅片腐蚀，为什么呢？前者和后者不都是硅片和KOH直接接触的么？
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1楼 2015-02-05 15:42:55
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买酒白云边

金虫 (知名作家)
居然解释不了，坐等高人解惑

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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人造金刚石及其制品And周边设备
2楼2015-02-06 01:03:27
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kjwu

捐助贵宾 (正式写手)
★
感谢参与，应助指数 +1
keailinger: 金币+1, 应助指数-1, 感谢发帖应助，欢迎常来工艺技术版。 2015-02-12 08:26:55
先确认是真的没有刻蚀，还是表面同向刻蚀，它和只有KOH的表面异向刻蚀是不同的

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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3楼2015-02-06 17:13:37
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TXJ2013

专家顾问 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★
keailinger: 金币+2, 感谢专家应助交流，欢迎常来工艺技术版。 2015-02-12 08:27:48
KOH溶液直接清洗硅片，应该会腐蚀，用H2O2，应该是在硅片上形成一层保护性薄膜，
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天行健，君子以自强不息；地势坤，君子以厚德载物。
4楼2015-02-11 21:05:42
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郭先生朋友

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

H2O2现在硅表面氧化一层氧化膜，KOH腐蚀氧化膜，用这样方法反复氧化腐蚀，去除硅表面污染物

[ 发自小木虫客户端 ]
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5楼2015-02-14 14:57:31
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Happy白杨

金虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 郭先生朋友 at 2015-02-14 14:57:31
H2O2现在硅表面氧化一层氧化膜，KOH腐蚀氧化膜，用这样方法反复氧化腐蚀，去除硅表面污染物

同意5楼，通过KOH的微腐蚀和双氧水的氧化，此过程反复进行，以去除表面及表层的沾污。
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6楼2015-03-05 22:08:26
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