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kevin123581

金虫 (正式写手)

[交流] 200nm厚度薄膜的深度剖析

对于200nm (400nm/ 800nm)左右的薄膜做深度剖析什么设备比较合适呢?
我想要测量的其实主要是物质在深度方向的含量比。
比如C和Si.  我用过cold SEM+EDS,但是对于200nm的薄膜,图像移动比较厉害,测量完全不准确;
tof-sims可做深度分析,但是貌似含量比也不好弄。
更复杂一点的是,我薄膜由Si单质和SiO2组成,外加其他一些杂质,可有有办法区分Si和SiO2的含量比呢?


谢谢大家
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石银东

木虫 (正式写手)

★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
kevin123581: 金币+1 2015-01-09 13:49:09
kevin123581: 金币+1 2015-04-06 14:08:31
引用回帖:
7楼: Originally posted by kevin123581 at 2015-01-09 12:15:18
就是感觉难度很大,不晓得有啥合适的设备没有。
一般常用的就是SEM+EDS,但是由于尺度比较小,在500nm左右的范围内图像一直是缓慢移动的,这个问题解决不了, EDS测出来的数据就完全不准确,有时候还有负值。。。 ...

使用光学测量方面,主要是区分出界面来,椭偏仪就可以实现10层以上的薄膜测试。
你这是混在一块的,没有明确的界面,所以建议你试试别的方法。
8楼2015-01-09 12:52:01
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dwysd

木虫 (著名写手)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
kevin123581: 金币+1, 谢谢 2015-01-09 13:44:01
kevin123581: 金币+5, 谢谢,我去试下 2015-04-06 14:07:04
XPS自带的Ar离子枪对薄膜表面进行剥离,然后测试,就会得到元素就化学键结构随深度变化。
2楼2015-01-08 16:48:41
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papaverme

铁杆木虫 (正式写手)

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
kevin123581: 金币+1, 谢谢 2015-01-09 13:45:00
可以包埋、减薄,制成截面的TEM样品,然后STEM+EDS或者EELS。
3楼2015-01-08 18:16:12
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
kevin123581: 金币+5, 谢谢 2015-01-09 13:48:26
kevin123581: 金币+5, 谢谢,我去试下 2015-04-06 14:07:41
离子枪结合XPS吧,SIMS不定量的,半定量用XPS,透射感觉意义不大,Si的话可以XPS看价态不同来区分
4楼2015-01-08 20:05:50
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