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kevin123581

金虫 (正式写手)

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[交流] 200nm厚度薄膜的深度剖析

对于200nm （400nm/ 800nm）左右的薄膜做深度剖析什么设备比较合适呢？
我想要测量的其实主要是物质在深度方向的含量比。
比如C和Si. 我用过cold SEM+EDS，但是对于200nm的薄膜，图像移动比较厉害，测量完全不准确；
tof-sims可做深度分析，但是貌似含量比也不好弄。
更复杂一点的是，我薄膜由Si单质和SiO2组成，外加其他一些杂质，可有有办法区分Si和SiO2的含量比呢？

谢谢大家

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1楼 2015-01-08 16:08:31

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papaverme

铁杆木虫 (正式写手)

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专业: 表面、形态与形貌分析

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
kevin123581: 金币+1, 谢谢 2015-01-09 13:45:00

可以包埋、减薄，制成截面的TEM样品，然后STEM+EDS或者EELS。

3楼2015-01-08 18:16:12

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