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200nm厚度薄膜的深度剖析
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kevin123581
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200nm厚度薄膜的深度剖析
对于200nm (400nm/ 800nm)左右的薄膜做深度剖析什么设备比较合适呢?
我想要测量的其实主要是物质在深度方向的含量比。
比如C和Si. 我用过cold SEM+EDS,但是对于200nm的薄膜,图像移动比较厉害,测量完全不准确;
tof-sims可做深度分析,但是貌似含量比也不好弄。
更复杂一点的是,我薄膜由Si单质和SiO2组成,外加其他一些杂质,可有有办法区分Si和SiO2的含量比呢?
谢谢大家
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2015-01-08 16:08:31
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在纳米尺度进行相关的深度方向上的含量分析,感觉很复杂的样子,这都已经和分子大小相差不多了,我觉得难度比较大,或者几乎不可能。
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6楼
2015-01-09 10:02:52
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dwysd
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2015-01-09 13:44:01
kevin123581: 金币+5, 谢谢,我去试下
2015-04-06 14:07:04
XPS自带的Ar离子枪对薄膜表面进行剥离,然后测试,就会得到元素就化学键结构随深度变化。
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2楼
2015-01-08 16:48:41
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papaverme
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kevin123581: 金币+1, 谢谢
2015-01-09 13:45:00
可以包埋、减薄,制成截面的TEM样品,然后STEM+EDS或者EELS。
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3楼
2015-01-08 18:16:12
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kevin123581: 金币+5, 谢谢
2015-01-09 13:48:26
kevin123581: 金币+5, 谢谢,我去试下
2015-04-06 14:07:41
离子枪结合XPS吧,SIMS不定量的,半定量用XPS,透射感觉意义不大,Si的话可以XPS看价态不同来区分
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4楼
2015-01-08 20:05:50
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