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Sleepybird新虫 (小有名气)
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[求助]
计算的光吸收系数曲线求带隙时的切线选取
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最近通过castep模块，PBE-GGA算了一种直接带隙半导体的光吸收系数，因为GGA算的带隙严重小于实际值，中间用了剪切算符（但这好像跟解决这次的问题没多大关系），根据公式，将得到的数据的纵坐标（ahv）平方后与横坐标光子能量做曲线，得到一条新的光吸收曲线，别人都说直线外推，但是当我具体做切线的时候，这条具体直线是是如何选择很是困惑。 一般文献上都是选取了吸收系数曲线的前面一小部分，于是我也试着依葫芦画瓢，因为我的物质的实验带隙是3.7eV, 之前也将剪切算符加进去了，所以切线与横轴的交点应该在3.7eV左右, 我得到了一条曲线，如下第一张图（不会在小木虫的文字中间插图片  ）不知道画得对不对，顺便说一句我用的是origin的tagent做的切线。 在这个过程发现一个问题：如果在origin中将可视的纵坐标继续减小，做切线得到的带隙是左移，即是不断减小（第二张图），我试过我这个图最小可到2.5eV。 所以，这样随着切点位置的改变，带隙也在不断变化。 后来我也想过是不是从整个曲线上去看那条外推法的直线，所以我又将纵坐标放大，做切线结果就成了6.2eV（最后一张图），显然这个结果与实验值相距甚远，肯定是不对的。 到了这里，我彻底迷惑了，那条外推的直线到底该怎么确定啊？  大神教教我啊。。。   4159%CPT]CLG6H(%2DPNGEF.jpg  M[N4)IFV}R5P[{B77GESG3R.jpg  J(}CGYW]4Z]Z846F52U8Y%A.jpg |
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