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firstlaker金虫 (正式写手)
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光刻后腐蚀掉铁膜 已有3人参与
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| 如题。我想做铁膜的pattern，发现lift -off 工艺做得不是很好。pattern直径1um左右，厚度45nm,间距2um左右。磁控溅射镀膜后，再经电子束光刻，然后去掉基片上的未被胶覆盖的铁膜，有合适的溶液么？电子束光刻时要使用什么样的胶才好？ |
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 半导体发光 |
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lee0803
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2楼2014-09-25 14:39:53
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5楼2014-09-25 22:23:53
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6楼2014-09-26 12:40:31
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7楼2014-09-26 12:40:46
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8楼2014-09-26 12:41:45
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【答案】应助回帖
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强烈不建议用腐蚀，因为侧向腐蚀非常严重，而且很不均匀。即使反应很剧烈，也很难得到图形边缘光滑的结果。所以只能用IBE来做，直接离子轰击，形貌做出来会很好。 至于光刻，既然要的是圆形，那么1um的图形肯定是用电子束做的好，光学光刻不能让图形的圆周达到完美的效果，分辨率肯定不够。应助不代表有帮助，自己仔细分辨。 你需要的电子束胶似负胶，常用的SAL601，不是很好买。可以用microresist的Negative Photoresist mr-EBL 6000.3，匀300nm的厚度做光刻，然后去做IBE，苏州锐材应该有现货，或者直接找他们做加工。 |
9楼2014-09-26 17:54:51
firstlaker
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10楼2014-09-26 18:11:57
