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kevin123581

金虫 (正式写手)

[交流] 请教TOF-SIMS的问题 已有5人参与

做薄膜的深度成分比分析,试了eds,但是图形一直移动不准确,所以尝试了用tof-sims,但是对于测试结果不是很清楚,所以在此处请教下。
对于纵坐标的intensity代表的什么, 可以转化成成分比么,比如不同元素的原子比什么的。
横坐标是时间, 可以转化为厚度,但是,剥离速率是一定的嘛?  还是说对于不同的材料成分速率是不同的?
谢谢大家

请教TOF-SIMS的问题
tof-sims测试结果(Functional graded DLC+silicon substrate).png
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kevin123581

金虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-08-13 09:20:38
我们这用的溅射离子枪两个都是氩的,。。所以就没啥区别的
...

哦 ,谢谢。
那我再问一个问题,请问如果想测薄膜厚度方向的元素比例,说了么设备比较好用?
薄膜大概600nm厚,都是无机材料,谢谢
7楼2014-08-13 13:42:57
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
kevin123581: 金币+10 2014-08-13 13:43:08
Intensity就是计数的意思,检测器收到的离子数目,通常SIMS无法给出定量分析,除非有非常可比的标样校准,否则半定量还是推荐用xps做,剥离厚度和你的材料当然有关,如果需要精确的话也需要标定,剥离比较长时间以后用电镜或者其他手段测厚度变化再转化成速率,一般仪器给出的标准值都是对SiO2的剥离速度的
2楼2014-08-12 16:32:23
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kevin123581

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-08-12 16:32:23
Intensity就是计数的意思,检测器收到的离子数目,通常SIMS无法给出定量分析,除非有非常可比的标样校准,否则半定量还是推荐用xps做,剥离厚度和你的材料当然有关,如果需要精确的话也需要标定,剥离比较长时间以后 ...

上面的红线200秒左右去之前都是纯碳,那我可以吧最大值取出来,做比值而得到碳的半分比么。  剥离速度我知道有区别,只是不晓得区别大小,比如在很小范围内的话是不是可以当做常数来简化问题。

我薄膜600多nm, xps貌似太难了

谢谢
3楼2014-08-12 16:56:46
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by kevin123581 at 2014-08-12 16:56:46
上面的红线200秒左右去之前都是纯碳,那我可以吧最大值取出来,做比值而得到碳的半分比么。  剥离速度我知道有区别,只是不晓得区别大小,比如在很小范围内的话是不是可以当做常数来简化问题。

我薄膜600多nm, ...

基本不太可以,这个只是一个离子峰的大小,不代表全部碳元素的峰的,可能会和其他元素一起出来,区别大小很难说了,有机无机,什么元素什么物质,各种都有关系,xps和多厚没啥关系啊,SIMS也是一层层取的嗯
4楼2014-08-12 18:43:17
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