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pof

铜虫 (小有名气)


[交流] SIMS的分辨率问题

用SIMS做表征,垂直于表面打下去,请问纵向的分辨率能达到多少?
举个例子,一个半导体多层结构,每一层某种元素掺杂/非掺杂交替,每一层厚度是200nm,这种情况下,用SIMS能清楚分辨掺杂层和非掺杂层吗,得到的结果中,非掺杂层中也有掺杂元素(还挺高,且与相邻的掺杂层浓度有关),请问这个现像是由结构生长过程中的diffusion引起的,还是由SIMS本身带来的误差?
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
问题不大,静态SIMS属于表面分析的,十几个nm顶多了
2楼2014-01-28 08:18:53
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pof

铜虫 (小有名气)


引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-01-28 01:18:53
问题不大,静态SIMS属于表面分析的,十几个nm顶多了

你好,请问十几个nm指的是什么呢,我手中的结果是从表面到内部4um左右,每一层结构大概200nm, 您的意思是分辨率在十几个nm,那么结果中的profile就差不多反映了真实的掺杂元素浓度,对吗?
SIMS的分辨率问题
图片1.jpg

[ Last edited by pof on 2014-1-28 at 16:58 ]
3楼2014-01-28 23:57:20
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temple81

银虫 (小有名气)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
分辨率不清楚,但是200nm的厚度绝对可以区分;我们自己测试到50nm都可以确认。
至于第二个,一般都是扩散导致。
4楼2014-02-12 15:45:02
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pof

铜虫 (小有名气)


引用回帖:
4楼: Originally posted by temple81 at 2014-02-12 08:45:02
分辨率不清楚,但是200nm的厚度绝对可以区分;我们自己测试到50nm都可以确认。
至于第二个,一般都是扩散导致。

你好,我们怀疑是受样品表面影响,又做了一次SIMS, 结果发现上次的结果中,非掺杂层出现的Ga是由于样品表面(不洁净)杂质引起的。在选择洁净区域进行的测试中,没有出现非掺杂层有高浓度Ga的情况。
5楼2014-02-14 15:56:52
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