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pof

铜虫 (小有名气)

[交流] SIMS的分辨率问题

用SIMS做表征，垂直于表面打下去，请问纵向的分辨率能达到多少？
举个例子，一个半导体多层结构，每一层某种元素掺杂/非掺杂交替，每一层厚度是200nm，这种情况下，用SIMS能清楚分辨掺杂层和非掺杂层吗，得到的结果中，非掺杂层中也有掺杂元素（还挺高，且与相邻的掺杂层浓度有关），请问这个现像是由结构生长过程中的diffusion引起的，还是由SIMS本身带来的误差？
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1楼 2014-01-27 22:51:36
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)
★
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问题不大，静态SIMS属于表面分析的，十几个nm顶多了
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2楼2014-01-28 08:18:53
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pof

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-01-28 01:18:53
问题不大，静态SIMS属于表面分析的，十几个nm顶多了

你好，请问十几个nm指的是什么呢，我手中的结果是从表面到内部4um左右，每一层结构大概200nm， 您的意思是分辨率在十几个nm，那么结果中的profile就差不多反映了真实的掺杂元素浓度，对吗？
SIMS的分辨率问题
图片1.jpg

[ Last edited by pof on 2014-1-28 at 16:58 ]
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3楼2014-01-28 23:57:20
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temple81

银虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
分辨率不清楚，但是200nm的厚度绝对可以区分；我们自己测试到50nm都可以确认。
至于第二个，一般都是扩散导致。
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4楼2014-02-12 15:45:02
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pof

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by temple81 at 2014-02-12 08:45:02
分辨率不清楚，但是200nm的厚度绝对可以区分；我们自己测试到50nm都可以确认。
至于第二个，一般都是扩散导致。

你好，我们怀疑是受样品表面影响，又做了一次SIMS， 结果发现上次的结果中，非掺杂层出现的Ga是由于样品表面（不洁净）杂质引起的。在选择洁净区域进行的测试中，没有出现非掺杂层有高浓度Ga的情况。
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5楼2014-02-14 15:56:52
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