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ravel78木虫 (正式写手)
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PN结的形成和相关问题
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觉得这个版面讨论PN结很深入，也想问各位一个问题。举个大家最熟悉的P型硅和N型硅的例子。 假设它们都是中等掺杂的，为了得到统一的费米能级，电子从N型硅向P型硅扩散，空穴从P型硅 向N型硅扩散。最后的结果是形成PN结。这个PN结的厚度，根据计算公式一般在几个微米这样的数量级。 我的疑问是这样的： 假入需要几个微米才能使空间电荷积累到足够程度拉平费米能级，如果P型半导体和N型半导体本身 非常薄（P型硅和型硅都只有几十纳米的话，但还没有薄到可以隧穿的地步），PN结的厚度小于 总厚度也就非常的薄。是否存在这样一种可能性：PN结中的内建电场不足以拉平两种半导体的费米 能级而使PN结的两边长期处于不平衡的状态？ |
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ravel78
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还想和metaliium讨论一下： 1、电子一定会从半导体流向金属。一种情况是金属费米能级甚至低于价带顶，那就和少子无关了，半导体里的价带电子也能跑去金属。 我觉得多子或是少子都应该是能自由移动的载流子，价带顶以下虽然大多被电子填满，但应该不都是能自由移动的电子。所以，价带顶以下的电子不一定能进入金属。 2、如果金属费米面在禁带中间，但我又仔细想了想，自然情况下，少子/电子应该永远都足够多，无论材料多薄。为什么少子/电子永远都够呢，因为不管少子/电子浓度有多低，高于界面另一边材料费米面的都会跑过去，最后剩下的都是低于费米面的电子。材料厚薄无非是改变了界面两边材料费米面分别改变的比值。一边如果相对另一边无穷薄，那么厚的费米面完全不受影响，全由薄的降低。如果两边相当，那就是一边费米面降一边费米面升。。。但结果都是费米面拉平。 我觉得还是第一个问题里提到的，少子首先应该是能自由移动的电子（在前面假设的条件和我的理解之下）。在假设条件下，电子从半导体流向金属，如果自由电子（少子）浓度不够，费米能级应该无法拉平。极限情况就是绝缘体，根本没有电子流向金属（即便二者存在费米能的差别），二者费米能保持不变，能带也不发生弯曲。我不确定的是金属里到底有没有自由移动的空穴，如果有，金属的空穴会向半导体移动使费米能拉平。 说老实话，一直觉得空穴这种东西象是人为弄出来的。有自由电子不就等于有自由空穴？因为根据空穴的定义，自由电子离开留下空穴。自由电子的移动不就同时伴随着空穴的反向移动？ |
6楼2014-07-04 01:09:23
cf1022108
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2楼2014-07-02 21:38:55
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3楼2014-07-03 04:11:51
ravel78
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我再说几个论述，有错误的地方恳请大家指正。最好能给出相关参考文献或者书籍。 1. 高掺杂的P型半导体，空穴是多子，电子是少子。如果遇到一个功函非常高的金属，以至金属的费米能级在P型半导体费米能级之下。 不考虑厚度问题，这两个体系能否平衡？这个时候电子显然要从半导体跑到金属，但是作为少子自由电子的浓度是很低。在某些 极限情况下，是否可能导致金属和半导体体系无法平衡？ 2. 金属和完美绝缘体相接触，由于绝缘体没有自由移动载流子，两个体系费米能级不会拉平. 3. 在很多表述中，金属被描述成富于电子的水池。还有一些表述说金属中没有空穴。假如金属中没有空穴 在发光二极管和太阳能电池中，阳极金属又是如何注入空穴和收集空穴的呢？说不通啊 |
4楼2014-07-03 14:49:47
30