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匿名

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1楼 2013-07-16 15:02:18
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匿名

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夏招明

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
fsxgwh2007: 金币+15, ★★★很有帮助, 谢谢回贴。理解了。 2013-07-17 18:56:27
这个pn结的深浅，我的理解是pn结距表面的距离的大小。pn结越浅，距表面距离小，表面缺陷多，吸收系数大。。。但是pn结越浅，即越厚，串联电阻就越大。。。pn越厚，可供迁移的载流子越少。
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6楼2013-07-17 18:27:56
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CHfengyun

木虫 (著名写手)
从你的描述来看，你应该是比较理解为什么光子系数越大，PN结可以越浅，关吸收系数越大，则表明越薄的PN结区就能有效的吸收绝大部分光子；而至于为什么PN结的结区越浅，则电池的串联电阻越大，原因是这样的：对于晶体硅电池来说，其PN结的形成是通过在高电阻率（一般是P型的晶圆，电阻率为10 ohm.cm2）的晶体硅晶圆上通过P扩散来形成的，P扩散之后，P型晶园的表层就形成了一个重掺杂的N型区域，即发射区，由于发射区是重掺杂的，其导电的性能非常好，远远优于电阻率高达 10ohm.cm2的晶园，现在明白了吧：就是结区区域所引入的串联电阻是比较小的，而结区之外的P型晶园的串联电阻是很大的，因此PN结的结区越浅，其电池器件总的串联电阻也就越大！希望可以帮助楼主！呵呵！
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7楼2013-10-05 11:25:08
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