24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
查看: 1154  |  回复: 6

匿名

用户注销 (小有名气)

本帖仅楼主可见
已阅   同方向广播   申请MEPI   回复此楼   编辑   查看我的主页

匿名

用户注销 (小有名气)

本帖仅楼主可见
2楼2013-07-16 16:51:26
已阅   申请MEPI   回复此楼   编辑   查看我的主页

匿名

用户注销 (小有名气)

本帖仅楼主可见
3楼2013-07-17 09:23:45
已阅   申请MEPI   回复此楼   编辑   查看我的主页

匿名

用户注销 (小有名气)

本帖仅楼主可见
4楼2013-07-17 10:53:40
已阅   申请MEPI   回复此楼   编辑   查看我的主页

匿名

用户注销 (小有名气)

本帖仅楼主可见
5楼2013-07-17 16:46:25
已阅   申请MEPI   回复此楼   编辑   查看我的主页

夏招明

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fsxgwh2007: 金币+15, ★★★很有帮助, 谢谢回贴。理解了。 2013-07-17 18:56:27
这个pn结的深浅,我的理解是pn结距表面的距离的大小。pn结越浅,距表面距离小,表面缺陷多,吸收系数大。。。但是pn结越浅,即越厚,串联电阻就越大。。。pn越厚,可供迁移的载流子越少。
6楼2013-07-17 18:27:56
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

CHfengyun

木虫 (著名写手)

从你的描述来看,你应该是比较理解为什么光子系数越大,PN结可以越浅,关吸收系数越大,则表明越薄的PN结区就能有效的吸收绝大部分光子;而至于为什么PN结的结区越浅,则电池的串联电阻越大,原因是这样的:对于晶体硅电池来说,其PN结的形成是通过在高电阻率(一般是P型的晶圆,电阻率为10 ohm.cm2)的晶体硅晶圆上通过P扩散来形成的,P扩散之后,P型晶园的表层就形成了一个重掺杂的N型区域,即发射区,由于发射区是重掺杂的,其导电的性能非常好,远远优于电阻率高达 10ohm.cm2的晶园,现在明白了吧:就是结区区域所引入的串联电阻是比较小的,而结区之外的P型晶园的串联电阻是很大的,因此PN结的结区越浅,其电池器件总的串联电阻也就越大!希望可以帮助楼主!呵呵!
7楼2013-10-05 11:25:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 fsxgwh2007 的主题更新
信息提示
请填处理意见