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匿名

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1楼2013-07-16 15:02:18

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CHfengyun

木虫 (著名写手)

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从你的描述来看，你应该是比较理解为什么光子系数越大，PN结可以越浅，关吸收系数越大，则表明越薄的PN结区就能有效的吸收绝大部分光子；而至于为什么PN结的结区越浅，则电池的串联电阻越大，原因是这样的：对于晶体硅电池来说，其PN结的形成是通过在高电阻率（一般是P型的晶圆，电阻率为10 ohm.cm2）的晶体硅晶圆上通过P扩散来形成的，P扩散之后，P型晶园的表层就形成了一个重掺杂的N型区域，即发射区，由于发射区是重掺杂的，其导电的性能非常好，远远优于电阻率高达 10ohm.cm2的晶园，现在明白了吧：就是结区区域所引入的串联电阻是比较小的，而结区之外的P型晶园的串联电阻是很大的，因此PN结的结区越浅，其电池器件总的串联电阻也就越大！希望可以帮助楼主！呵呵！