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爱惜花草

木虫 (著名写手)

[求助] 问下GaAs半导体的p搀杂和n搀杂是怎么实现的啊?

新手,最近在研究光伏,对于Si的p搀杂和n搀杂很好理解,即掺入B和P,
我想咨询下GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区是怎么得到的呢?
还有类似什么n++/p++/n+/p+ -GaAs代表什么搀杂类型啊?
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1楼 2011-10-25 16:21:56
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fds329

荣誉版主 (文坛精英)

鱼大婶

优秀版主优秀版主优秀版主优秀版主
同样关注，帮顶
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2楼2011-10-26 01:04:03
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zhangjwxjtu

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
爱惜花草(金币+20): thks 2011-11-19 08:56:06
nofrunolif(金币+2): 谢谢讨论 2011-11-19 21:21:10
引用回帖:
1楼: Originally posted by 爱惜花草 at 2011-10-25 16:21:56:
新手,最近在研究光伏,对于Si的p搀杂和n搀杂很好理解,即掺入B和P,
我想咨询下GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区是怎么得到的呢?
还有类似什么n++/p++/n+/p+ -GaAs代表什么搀杂类型啊?

1、GaAs的P型掺杂一般采用Zn取代Ga；n型掺杂一般采用Si取代Ga，但Si是双性杂质，也有可能取代As，因此实验条件的控制至关重要。有时也采用c掺杂。你的生长方法是什么？如果是MOCVD，那么一般用二乙基锌做P型掺杂剂，硅烷做n型掺杂剂。

2、GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区在MOCVD或MBE生长过程中依靠控制有机源或束源炉的流量和生长压力、温度、衬底取向等诸多条件可以生长而成。你最好去看一下"化合物半导体”，或“MOCVD”等方面的书籍。
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3楼2011-11-19 08:48:04
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epaprika

新虫 (初入文坛)
三楼正解。

本人亲自做过GaAS的MOCVD，用tri-methyl-gallium（可挥发性金属有机化合物）和arsine（剧毒气体）合成，掺杂物为dimethyl-zinc（可挥发性金属有机化合物）和silane（自燃气体）。
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4楼2011-11-19 20:48:51
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sworderss

新虫 (初入文坛)
通过扩散炉掺杂或者离子注入实现的P掺杂和N掺杂
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5楼2014-09-28 11:53:18
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