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yssyc

金虫 (正式写手)

[求助] GaAs材料掺杂问题 求助!!!!!!

GaAs材料中掺硅材料可不可以改变禁带宽度呢???有没有软件可以仿真不同掺杂材料和浓度对材料禁带的影响啊??????????
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didadida321

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
yssyc: 金币+1 2012-05-08 19:13:39
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2012-05-09 08:39:54
貌似可以用MS进行模拟,用vasp再进行计算.
2楼2012-05-08 17:11:59
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yssyc

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by didadida321 at 2012-05-08 17:11:59:
貌似可以用MS进行模拟,用vasp再进行计算.

弱弱问下MS全称是。。。没有用过额。。。
3楼2012-05-08 18:44:02
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4楼2012-05-08 19:09:02
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condensed

木虫 (著名写手)


WDD880227: 金币+1, 感谢回帖交流 2012-05-09 08:51:18
引用回帖:
3楼: Originally posted by yssyc at 2012-05-08 18:44:02:
弱弱问下MS全称是。。。没有用过额。。。

Materials Studio
In fact, every code can solve this problem, e.g., PWSCF, VASP, WIEN2K ..
5楼2012-05-09 06:43:28
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condensed

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2012-05-09 08:40:25
贺仪: 金币+1, 谢谢指教! 2012-05-09 09:45:06
GaAs材料中掺硅材料可不可以改变禁带宽度呢???

The band gap must be changed by doping Si in GaAs. The gaps of the two materials are different. If the structure is not changed, the gap for your doped material may locate between the GaAs and Si. If the structure is changed, .....

有没有软件可以仿真不同掺杂材料和浓度对材料禁带的影响啊??????????
In fact, every code can solve this problem, e.g., PWSCF, VASP, WIEN2K ..
But you must have enough computers (the cell is very large and the symmetry is very low).
6楼2012-05-09 06:52:17
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didadida321

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢提示 2012-05-09 08:40:31
引用回帖:
2楼: Originally posted by didadida321 at 2012-05-08 17:11:59:
貌似可以用MS进行模拟,用vasp再进行计算.

你先可以在小木虫上找一些关于Materials Studio的相关使用资料看下,还有我对MS也不是很精通,因为我们只是用它的一部分功能。
7楼2012-05-09 08:07:42
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huangzc

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2012-05-09 08:40:42
这是肯定可以的呀  MS就可以啦
8楼2012-05-09 08:16:46
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shmilylxc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
贺仪: 金币+1, 谢谢指教! 2012-05-09 17:39:52
用MS可以啊,建立超晶结构,通过替换原子量来调节掺杂浓度
9楼2012-05-09 16:24:07
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yssyc

金虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by didadida321 at 2012-05-09 08:07:42:
你先可以在小木虫上找一些关于Materials Studio的相关使用资料看下,还有我对MS也不是很精通,因为我们只是用它的一部分功能。

嗯,受教了,谢谢
10楼2012-05-09 18:34:06
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