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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » GaAs材料掺杂问题 求助！！！！！！
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yssyc

金虫 (正式写手)

[求助] GaAs材料掺杂问题 求助！！！！！！

GaAs材料中掺硅材料可不可以改变禁带宽度呢？？？有没有软件可以仿真不同掺杂材料和浓度对材料禁带的影响啊？？？？？？？？？？
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1楼2012-05-08 16:58:46
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yssyc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by didadida321 at 2012-05-08 17:11:59:
貌似可以用MS进行模拟，用vasp再进行计算.

弱弱问下MS全称是。。。没有用过额。。。
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3楼2012-05-08 18:44:02
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yssyc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by didadida321 at 2012-05-09 08:07:42:
你先可以在小木虫上找一些关于Materials Studio的相关使用资料看下，还有我对MS也不是很精通，因为我们只是用它的一部分功能。

嗯，受教了，谢谢
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10楼2012-05-09 18:34:06
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yssyc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by condensed at 2012-05-09 06:52:17:
GaAs材料中掺硅材料可不可以改变禁带宽度呢？？？

The band gap must be changed by doping Si in GaAs. The gaps of the two materials are different. If the structure is not changed, the gap for your d ...

谢谢你，那掺杂后的禁带宽度是在硅 和GAAS之间，还是不一定在两者之间，知道变高变低的趋势么？
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11楼2012-05-09 18:38:19
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yssyc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
13楼: Originally posted by condensed at 2012-05-10 00:27:20:
From Wikipedia, the free encyclopedia
Jump to: navigation, search

In metallurgy, Vegard's law is an approximate empirical rule which holds that a linear relation exists, at constant temperature ...

那通过将Si和GaAs的禁带宽度带入第二个公式就可以了吧，可是不知道x的值怎么办？
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14楼2012-05-10 16:27:51
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yssyc

金虫 (正式写手)
送鲜花一朵
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15楼: Originally posted by pere at 2012-05-10 16:33:07:
兄弟，你拿 WIEN2K做一个试试，不要误导...

不急不急，好好说，送朵花谢谢你
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18楼2012-05-11 10:17:44
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yssyc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
16楼: Originally posted by condensed at 2012-05-11 01:05:54:
误导 ？？
谁在误导 ？？
用WIEN2K 做，和别的软件有什么本质区别？？你讲讲

慢慢说，有问题讨论么，送朵花先
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19楼2012-05-11 10:18:56
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yssyc

金虫 (正式写手)
送鲜花一朵
引用回帖:
16楼: Originally posted by condensed at 2012-05-11 01:05:54:
误导 ？？
谁在误导 ？？
用WIEN2K 做，和别的软件有什么本质区别？？你讲讲

，
20楼2012-05-11 10:26:38
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yssyc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
21楼: Originally posted by condensed at 2012-05-11 11:53:57:
没什么讨论的，肯定的告诉你，能做

我现在参考一种方法，只知道Si材料的浓度、GaAs 是100晶向，对于x的比例是不是还需要其他条件？
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22楼2012-05-11 14:27:13
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