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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » GaAs材料掺杂问题 求助！！！！！！
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yssyc

金虫 (正式写手)

[求助] GaAs材料掺杂问题 求助！！！！！！

GaAs材料中掺硅材料可不可以改变禁带宽度呢？？？有没有软件可以仿真不同掺杂材料和浓度对材料禁带的影响啊？？？？？？？？？？
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1楼 2012-05-08 16:58:46
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condensed

木虫 (著名写手)
★
WDD880227: 金币+1, 感谢回帖交流 2012-05-09 08:51:18
引用回帖:
3楼: Originally posted by yssyc at 2012-05-08 18:44:02:
弱弱问下MS全称是。。。没有用过额。。。

Materials Studio
In fact, every code can solve this problem, e.g., PWSCF, VASP, WIEN2K ..
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5楼2012-05-09 06:43:28
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木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2012-05-09 08:40:25
贺仪: 金币+1, 谢谢指教！ 2012-05-09 09:45:06
GaAs材料中掺硅材料可不可以改变禁带宽度呢？？？

The band gap must be changed by doping Si in GaAs. The gaps of the two materials are different. If the structure is not changed, the gap for your doped material may locate between the GaAs and Si. If the structure is changed, .....

有没有软件可以仿真不同掺杂材料和浓度对材料禁带的影响啊？？？？？？？？？？
In fact, every code can solve this problem, e.g., PWSCF, VASP, WIEN2K ..
But you must have enough computers (the cell is very large and the symmetry is very low).
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6楼2012-05-09 06:52:17
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木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
11楼: Originally posted by yssyc at 2012-05-09 18:38:19:
谢谢你，那掺杂后的禁带宽度是在硅 和GAAS之间，还是不一定在两者之间，知道变高变低的趋势么？

Vegard's Law,  Maybe .... Maybe ....
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12楼2012-05-10 00:22:37
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木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
yssyc: 金币+9, ★★★很有帮助, u r so kind 金币都给你！ 2012-05-10 15:16:54
From Wikipedia, the free encyclopedia
Jump to: navigation, search

In metallurgy, Vegard's law is an approximate empirical rule which holds that a linear relation exists, at constant temperature, between the crystal lattice parameter of an alloy and the concentrations of the constituent elements. [1] [2]

For example, consider the semiconductor compound InPxAs1-x. A relation exists between the constituent elements and their associated lattice parameters, \mathit{a}, such that:

\mathit{a}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{a}_{InP} + (1-\mathit{x})\mathit{a}_{InAs}

One can also extend this relation to determine semiconductor band gap energies. Using InPxAs1-x as before one can find an expression that relates the band gap energies, \mathit{E_g}, to the ratio of the constituents and a bowing parameter \mathit{b}:

\mathit{E_g}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{E_g}_{InP}+(1-\mathit{x})\mathit{E_g}_{InAs}-\mathit{bx}(1-\mathit{x})

When variations in lattice parameter are very small across the entire composition range, Vegard's law becomes equivalent to Amagat's law.

References

    ^ L. Vegard. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome. Zeitschrift für Physik, 5:17, 1921.
    ^ Harvard.edu A. R. Denton and N. W. Ashcroft. Vegard’s law. Phys. Rev. A, 43:3161–3164, March 1991.
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13楼2012-05-10 00:27:20
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木虫 (著名写手)
引用回帖:
15楼: Originally posted by pere at 2012-05-10 16:33:07:
兄弟，你拿 WIEN2K做一个试试，不要误导...

误导 ？？
谁在误导 ？？
用WIEN2K 做，和别的软件有什么本质区别？？你讲讲
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yssyc
16楼2012-05-11 01:05:54
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木虫 (著名写手)
引用回帖:
14楼: Originally posted by yssyc at 2012-05-10 16:27:51:
那通过将Si和GaAs的禁带宽度带入第二个公式就可以了吧，可是不知道x的值怎么办？

这个公式是比较粗糙的， 我估计只是个近似的线性关系，X 是你替换的比例 啊
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17楼2012-05-11 06:51:58
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木虫 (著名写手)
没什么讨论的，肯定的告诉你，能做
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21楼2012-05-11 11:53:57
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木虫 (著名写手)
这个公式只是定性的，等计算的结果吧，在这猜是没有用的，要么还要计算干什么呢，呵呵
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23楼2012-05-12 00:26:47
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