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GaAs材料掺杂问题 求助！！！！！！
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| GaAs材料中掺硅材料可不可以改变禁带宽度呢？？？有没有软件可以仿真不同掺杂材料和浓度对材料禁带的影响啊？？？？？？？？？？ |
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condensed
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【答案】应助回帖
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yssyc: 金币+9, ★★★很有帮助, u r so kind 金币都给你！ 2012-05-10 15:16:54
yssyc: 金币+9, ★★★很有帮助, u r so kind 金币都给你！ 2012-05-10 15:16:54
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From Wikipedia, the free encyclopedia Jump to: navigation, search In metallurgy, Vegard's law is an approximate empirical rule which holds that a linear relation exists, at constant temperature, between the crystal lattice parameter of an alloy and the concentrations of the constituent elements. [1] [2] For example, consider the semiconductor compound InPxAs1-x. A relation exists between the constituent elements and their associated lattice parameters, \mathit{a}, such that: \mathit{a}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{a}_{InP} + (1-\mathit{x})\mathit{a}_{InAs} One can also extend this relation to determine semiconductor band gap energies. Using InPxAs1-x as before one can find an expression that relates the band gap energies, \mathit{E_g}, to the ratio of the constituents and a bowing parameter \mathit{b}: \mathit{E_g}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{E_g}_{InP}+(1-\mathit{x})\mathit{E_g}_{InAs}-\mathit{bx}(1-\mathit{x}) When variations in lattice parameter are very small across the entire composition range, Vegard's law becomes equivalent to Amagat's law. References ^ L. Vegard. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome. Zeitschrift für Physik, 5:17, 1921. ^ Harvard.edu A. R. Denton and N. W. Ashcroft. Vegard’s law. Phys. Rev. A, 43:3161–3164, March 1991. |
13楼2012-05-10 00:27:20
didadida321
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4楼2012-05-08 19:09:02
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