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爱惜花草木虫 (著名写手)
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[求助]
问下GaAs半导体的p搀杂和n搀杂是怎么实现的啊?
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新手,最近在研究光伏,对于Si的p搀杂和n搀杂很好理解,即掺入B和P, 我想咨询下GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区是怎么得到的呢? 还有类似什么n++/p++/n+/p+ -GaAs代表什么搀杂类型啊? |
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 材料化工工艺过程问题、实验过程问题 |
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5楼2014-09-28 11:53:18
【答案】应助回帖
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爱惜花草(金币+20): thks 2011-11-19 08:56:06
nofrunolif(金币+2): 谢谢讨论 2011-11-19 21:21:10
爱惜花草(金币+20): thks 2011-11-19 08:56:06
nofrunolif(金币+2): 谢谢讨论 2011-11-19 21:21:10
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1、GaAs的P型掺杂一般采用Zn取代Ga；n型掺杂一般采用Si取代Ga，但Si是双性杂质，也有可能取代As，因此实验条件的控制至关重要。有时也采用c掺杂。你的生长方法是什么？如果是MOCVD，那么一般用二乙基锌做P型掺杂剂，硅烷做n型掺杂剂。 2、GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区在MOCVD或MBE生长过程中依靠控制有机源或束源炉的流量和生长压力、温度、衬底取向等诸多条件可以生长而成。你最好去看一下"化合物半导体”，或“MOCVD”等方面的书籍。  |
3楼2011-11-19 08:48:04
4楼2011-11-19 20:48:51
