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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【求助】p-n结空间电荷区的变化?
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黑夜精灵

至尊木虫 (著名写手)

[求助] 【求助】p-n结空间电荷区的变化?

首先声明一下 本人对p-n结不了解 如果问题十分可笑 请见谅！
我现在构建了一个上下结构的p-n结 其中上层是p型半导体  下层是n型半导体
当达到平衡时 在接触的位置附近形成空间电荷区
我的问题是： 当整个体系中 p型半导体的空穴浓度降低， 空间电荷区分别在p型和n型半导体中的变化？
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不断前行
1楼 2012-03-27 09:09:53
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xuyanli0401

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
黑夜精灵: 金币+2, ★有帮助, 谢谢！虽然没有外电场 但是应该有变化 毕竟载流子浓度发生了变化 2012-03-27 11:09:35
空间电荷区即耗尽层，没有自由移动的电荷。没有外加电场，不会变化。
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2ing
2楼2012-03-27 10:39:31
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xuyanli0401

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
黑夜精灵: 金币+1, ★有帮助, 谢谢 2012-03-27 16:24:28
一块均匀掺杂半导体，满足空间电荷中性的条件。即半导体的任何体积内，净电荷密度为0。
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2ing
3楼2012-03-27 15:17:40
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天胜001

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
黑夜精灵: 金币+1, 谢谢参与！ 2012-03-29 10:53:17
n型的载流子浓度减少，但是一般pn结的浓度一般只会随温度少量变化，电荷从p结到n结移动
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4楼2012-03-27 21:39:29
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Jalain

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
黑夜精灵: 金币+5, ★有帮助, 谢谢 这个答案应该是对的 2012-03-30 14:51:42
P型半导体中空穴浓度降低的原因？如果是因为掺杂浓度降低，N型的掺杂浓度不变的话，空间电荷区会向P型区扩展，如果是因为载流子的运动，通常使单个PN结P区空穴浓度降低的原因应该是加了反偏压，这时空间电荷区应该也是变大的，与前一种情况不同的是这是在外部作用下的变换，在外电压撤掉以后还会再恢复到原来的样子。
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5楼2012-03-30 11:36:06
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yuan_physics

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
载流子的浓度的变化，会改变空间电荷区的宽度，即向p或n方向移动，移动之后又会有相应的耗尽层
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察物内之物 思理中之理
6楼2012-03-30 11:45:51
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xiexiaoyu22

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
黑夜精灵: 金币+2, ★有帮助, 谢谢 2012-04-04 14:16:28
如果就是p区浓度下降的话，我认为耗尽层会向n区移动，因为p区浓度降低，则所能形成的负电荷受主浓度也会随之降低，所以内建电场应该n区移动。
个人见解，不知能否帮到忙。
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7楼2012-03-30 13:05:08
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