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黑夜精灵

至尊木虫 (著名写手)

[求助] 【求助】p-n结空间电荷区的变化?

首先声明一下 本人对p-n结不了解 如果问题十分可笑 请见谅!
我现在构建了一个上下结构的p-n结 其中上层是p型半导体  下层是n型半导体
当达到平衡时 在接触的位置附近形成空间电荷区
我的问题是: 当整个体系中 p型半导体的空穴浓度降低, 空间电荷区分别在p型和n型半导体中的变化?
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