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ravel78木虫 (正式写手)
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PN结的形成和相关问题
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觉得这个版面讨论PN结很深入，也想问各位一个问题。举个大家最熟悉的P型硅和N型硅的例子。 假设它们都是中等掺杂的，为了得到统一的费米能级，电子从N型硅向P型硅扩散，空穴从P型硅 向N型硅扩散。最后的结果是形成PN结。这个PN结的厚度，根据计算公式一般在几个微米这样的数量级。 我的疑问是这样的： 假入需要几个微米才能使空间电荷积累到足够程度拉平费米能级，如果P型半导体和N型半导体本身 非常薄（P型硅和型硅都只有几十纳米的话，但还没有薄到可以隧穿的地步），PN结的厚度小于 总厚度也就非常的薄。是否存在这样一种可能性：PN结中的内建电场不足以拉平两种半导体的费米 能级而使PN结的两边长期处于不平衡的状态？ |
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metaliium
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【答案】应助回帖
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ravel78: 金币+20, ★★★很有帮助, 谢谢你的详细回答。PN结太薄的话，能带弯曲可能不足以拉平费米能的差别。至少在有机半导体里面是这样的。 2014-07-04 00:50:37
ravel78: 金币+20, ★★★很有帮助, 谢谢你的详细回答。PN结太薄的话，能带弯曲可能不足以拉平费米能的差别。至少在有机半导体里面是这样的。 2014-07-04 00:50:37
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1、电子一定会从半导体流向金属。一种情况是金属费米能级甚至低于价带顶，那就和少子无关了，半导体里的价带电子也能跑去金属。 如果金属费米面在禁带中间，你这个问题实质上和最初的是同一个问题。如果少子就足够多，最后肯定能平衡。如果考虑极端情况少子全拿来都不够实现平衡，那有可能维持非平衡态。但我又仔细想了想，自然情况下，少子/电子应该永远都足够多，无论材料多薄。因此我之前的回答实际上是错的。为什么少子/电子永远都够呢，因为不管少子/电子浓度有多低，高于界面另一边材料费米面的都会跑过去，最后剩下的都是低于费米面的电子。材料厚薄无非是改变了界面两边材料费米面分别改变的比值。一边如果相对另一边无穷薄，那么厚的费米面完全不受影响，全由薄的降低。如果两边相当，那就是一边费米面降一边费米面升。。。但结果都是费米面拉平。 2、确实不会拉平 3、注入空穴相当于占据该态的电子流出，空穴作为非平衡载流子通过金属总是可以的 关于电子在材料界面间流动问题，1、费米面要有差；2、费米面之间要有可占据的态。。。满足这两个条件就有净电荷移动。要实现费米面不拉平的情况，只有因为没有可占据的态，也就是费米面的差在一边材料中完全是处于禁带中 |
5楼2014-07-04 00:29:53
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2楼2014-07-02 21:38:55
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3楼2014-07-03 04:11:51
ravel78
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我再说几个论述，有错误的地方恳请大家指正。最好能给出相关参考文献或者书籍。 1. 高掺杂的P型半导体，空穴是多子，电子是少子。如果遇到一个功函非常高的金属，以至金属的费米能级在P型半导体费米能级之下。 不考虑厚度问题，这两个体系能否平衡？这个时候电子显然要从半导体跑到金属，但是作为少子自由电子的浓度是很低。在某些 极限情况下，是否可能导致金属和半导体体系无法平衡？ 2. 金属和完美绝缘体相接触，由于绝缘体没有自由移动载流子，两个体系费米能级不会拉平. 3. 在很多表述中，金属被描述成富于电子的水池。还有一些表述说金属中没有空穴。假如金属中没有空穴 在发光二极管和太阳能电池中，阳极金属又是如何注入空穴和收集空穴的呢？说不通啊 |
4楼2014-07-03 14:49:47
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