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ravel78

木虫 (正式写手)

[求助] PN结的形成和相关问题

觉得这个版面讨论PN结很深入,也想问各位一个问题。举个大家最熟悉的P型硅和N型硅的例子。
假设它们都是中等掺杂的,为了得到统一的费米能级,电子从N型硅向P型硅扩散,空穴从P型硅
向N型硅扩散。最后的结果是形成PN结。这个PN结的厚度,根据计算公式一般在几个微米这样的数量级。

我的疑问是这样的:
假入需要几个微米才能使空间电荷积累到足够程度拉平费米能级,如果P型半导体和N型半导体本身
非常薄(P型硅和型硅都只有几十纳米的话,但还没有薄到可以隧穿的地步),PN结的厚度小于
总厚度也就非常的薄。是否存在这样一种可能性:PN结中的内建电场不足以拉平两种半导体的费米
能级而使PN结的两边长期处于不平衡的状态?
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metaliium

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

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ravel78: 金币+20, ★★★很有帮助, 谢谢你的详细回答。PN结太薄的话,能带弯曲可能不足以拉平费米能的差别。至少在有机半导体里面是这样的。 2014-07-04 00:50:37
引用回帖:
4楼: Originally posted by ravel78 at 2014-07-03 14:49:47
我再说几个论述,有错误的地方恳请大家指正。最好能给出相关参考文献或者书籍。
1. 高掺杂的P型半导体,空穴是多子,电子是少子。如果遇到一个功函非常高的金属,以至金属的费米能级在P型半导体费米能级之下。
不 ...

1、电子一定会从半导体流向金属。一种情况是金属费米能级甚至低于价带顶,那就和少子无关了,半导体里的价带电子也能跑去金属。

如果金属费米面在禁带中间,你这个问题实质上和最初的是同一个问题。如果少子就足够多,最后肯定能平衡。如果考虑极端情况少子全拿来都不够实现平衡,那有可能维持非平衡态。但我又仔细想了想,自然情况下,少子/电子应该永远都足够多,无论材料多薄。因此我之前的回答实际上是错的。为什么少子/电子永远都够呢,因为不管少子/电子浓度有多低,高于界面另一边材料费米面的都会跑过去,最后剩下的都是低于费米面的电子。材料厚薄无非是改变了界面两边材料费米面分别改变的比值。一边如果相对另一边无穷薄,那么厚的费米面完全不受影响,全由薄的降低。如果两边相当,那就是一边费米面降一边费米面升。。。但结果都是费米面拉平。
2、确实不会拉平
3、注入空穴相当于占据该态的电子流出,空穴作为非平衡载流子通过金属总是可以的

关于电子在材料界面间流动问题,1、费米面要有差;2、费米面之间要有可占据的态。。。满足这两个条件就有净电荷移动。要实现费米面不拉平的情况,只有因为没有可占据的态,也就是费米面的差在一边材料中完全是处于禁带中
5楼2014-07-04 00:29:53
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cf1022108

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

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ravel78: 金币+5, 如果绝缘体和金属接触,处于不平衡状态,费米能级会拉平吗?我的答案是不会 2014-07-03 14:38:10
这是不可能的,首先如果处于一种不平衡的状态,那么一定会有电流,也就是在不加外电场下就有电流,这是不可能。

[ 发自小木虫客户端 ]
为推动人类社会的发展而努力奋斗
2楼2014-07-02 21:38:55
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metaliium

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

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ravel78: 金币+10, 有帮助, 有文献支持或者书籍支持上述结论吗? 2014-07-03 14:39:22
当然可能了,就是一边的载流子全到另一边去了,然后就没有自由载流子了
3楼2014-07-03 04:11:51
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ravel78

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by metaliium at 2014-07-03 04:11:51
当然可能了,就是一边的载流子全到另一边去了,然后就没有自由载流子了

我再说几个论述,有错误的地方恳请大家指正。最好能给出相关参考文献或者书籍。
1. 高掺杂的P型半导体,空穴是多子,电子是少子。如果遇到一个功函非常高的金属,以至金属的费米能级在P型半导体费米能级之下。
不考虑厚度问题,这两个体系能否平衡?这个时候电子显然要从半导体跑到金属,但是作为少子自由电子的浓度是很低。在某些
极限情况下,是否可能导致金属和半导体体系无法平衡?
2. 金属和完美绝缘体相接触,由于绝缘体没有自由移动载流子,两个体系费米能级不会拉平.

3. 在很多表述中,金属被描述成富于电子的水池。还有一些表述说金属中没有空穴。假如金属中没有空穴
在发光二极管和太阳能电池中,阳极金属又是如何注入空穴和收集空穴的呢?说不通啊
4楼2014-07-03 14:49:47
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