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ravel78木虫 (正式写手)
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PN结的形成和相关问题
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觉得这个版面讨论PN结很深入，也想问各位一个问题。举个大家最熟悉的P型硅和N型硅的例子。 假设它们都是中等掺杂的，为了得到统一的费米能级，电子从N型硅向P型硅扩散，空穴从P型硅 向N型硅扩散。最后的结果是形成PN结。这个PN结的厚度，根据计算公式一般在几个微米这样的数量级。 我的疑问是这样的： 假入需要几个微米才能使空间电荷积累到足够程度拉平费米能级，如果P型半导体和N型半导体本身 非常薄（P型硅和型硅都只有几十纳米的话，但还没有薄到可以隧穿的地步），PN结的厚度小于 总厚度也就非常的薄。是否存在这样一种可能性：PN结中的内建电场不足以拉平两种半导体的费米 能级而使PN结的两边长期处于不平衡的状态？ |
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10楼2014-07-04 12:20:54
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我再说几个论述，有错误的地方恳请大家指正。最好能给出相关参考文献或者书籍。 1. 高掺杂的P型半导体，空穴是多子，电子是少子。如果遇到一个功函非常高的金属，以至金属的费米能级在P型半导体费米能级之下。 不考虑厚度问题，这两个体系能否平衡？这个时候电子显然要从半导体跑到金属，但是作为少子自由电子的浓度是很低。在某些 极限情况下，是否可能导致金属和半导体体系无法平衡？ 2. 金属和完美绝缘体相接触，由于绝缘体没有自由移动载流子，两个体系费米能级不会拉平. 3. 在很多表述中，金属被描述成富于电子的水池。还有一些表述说金属中没有空穴。假如金属中没有空穴 在发光二极管和太阳能电池中，阳极金属又是如何注入空穴和收集空穴的呢？说不通啊 |
4楼2014-07-03 14:49:47
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