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南方科技大学公共卫生及应急管理学院2026级博士研究生招生报考通知(长期有效)
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neaper

新虫 (初入文坛)

[求助] 单晶EBSD结果密集的小角度取向差能代表小角度晶界吗?能否用此统计位错密度?已有2人参与

对EBSD不是很熟悉,请教高手,对于单晶平表面压入变形后压坑区域周围EBSD结果局部集中了较多的小角度取向差(小于10度),这个小角度取向差能代表小角度晶界吗?能否用这样的EBSD结果统计位错密度?求指教?
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wyvern08007

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

小角一般用添加的时候用5-15°,大角15-180°
5楼2015-02-03 15:14:15
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neaper

新虫 (初入文坛)

怎么没人帮忙解答下呢?
2楼2014-06-06 17:20:05
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zxhao168

捐助贵宾 (正式写手)


【答案】应助回帖

EBSD角分辨率有限,在分析小角晶界时必须小心设备的精度问题,根据别人报道的研究结果,把低于2度以下的结果去掉似乎可以得到合理的实验结果。利用EBSD的结果计算位错密度必须非常小心,因为计算中是要用到KAM或者是相邻像素之间的取向差,这一参数受扫描步长的影响明显,此外电镜的聚焦状态、样品状态、实验参数设置(例如CCD分辨率,Hough transformation resolution)也会影响实验结果。总之,细致严谨可靠的实验是进行位错密度计算的前提。
3楼2014-06-15 10:06:58
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艾双双

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by zxhao168 at 2014-06-15 10:06:58
EBSD角分辨率有限,在分析小角晶界时必须小心设备的精度问题,根据别人报道的研究结果,把低于2度以下的结果去掉似乎可以得到合理的实验结果。利用EBSD的结果计算位错密度必须非常小心,因为计算中是要用到KAM或者是 ...

要怎么计算位错密度啊    EBSD中的单位长度指什么啊
4楼2014-07-11 16:35:49
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