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neaper

新虫 (初入文坛)

[求助] 单晶EBSD结果密集的小角度取向差能代表小角度晶界吗？能否用此统计位错密度？已有2人参与

对EBSD不是很熟悉，请教高手，对于单晶平表面压入变形后压坑区域周围EBSD结果局部集中了较多的小角度取向差（小于10度），这个小角度取向差能代表小角度晶界吗？能否用这样的EBSD结果统计位错密度？求指教？
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1楼2014-06-04 10:05:58
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neaper

新虫 (初入文坛)
怎么没人帮忙解答下呢？
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2楼2014-06-06 17:20:05
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zxhao168

捐助贵宾 (正式写手)

【答案】应助回帖

EBSD角分辨率有限，在分析小角晶界时必须小心设备的精度问题，根据别人报道的研究结果，把低于2度以下的结果去掉似乎可以得到合理的实验结果。利用EBSD的结果计算位错密度必须非常小心，因为计算中是要用到KAM或者是相邻像素之间的取向差，这一参数受扫描步长的影响明显，此外电镜的聚焦状态、样品状态、实验参数设置（例如CCD分辨率，Hough transformation resolution）也会影响实验结果。总之，细致严谨可靠的实验是进行位错密度计算的前提。
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3楼2014-06-15 10:06:58
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艾双双

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by zxhao168 at 2014-06-15 10:06:58
EBSD角分辨率有限，在分析小角晶界时必须小心设备的精度问题，根据别人报道的研究结果，把低于2度以下的结果去掉似乎可以得到合理的实验结果。利用EBSD的结果计算位错密度必须非常小心，因为计算中是要用到KAM或者是 ...

要怎么计算位错密度啊    EBSD中的单位长度指什么啊
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4楼2014-07-11 16:35:49
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wyvern08007

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

小角一般用添加的时候用5-15°，大角15-180°
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5楼2015-02-03 15:14:15
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