24小时热门版块排行榜    

查看: 2075  |  回复: 7
当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖

胖九的九妹

新虫 (初入文坛)

[求助] 半导体掺杂费米能级不移动,求高手指点 已有1人参与

各位虫友,最近做半导体的掺杂遇到这样的问题,求知道的不知道的都回个话,大家给点意见,小女子感激不尽
我做的是往In的化合物里面掺杂其他的阳离子来替代In的位置,第一次是用同主族的Tl来替代In,计算后发现费米能级没有移动,用origin算了载流子浓度也没有变化,我考虑可能是因为同一主族,最外层电子排布一样的原因;第二次我用Ag替代In原子,我理解的是理论上来说Ag最外层只有一个电子,但是In最外层有三个电子,那是不是可以提高空穴的浓度呢,但是计算结果发现:费米能级还是没有动,在价带顶的位置,未掺杂和掺杂后的居然重合了…………这样我就不知道该怎么分析了……
本来预期的结果应该是费米能级往价带里面移动(我建的胞不大,掺杂一个浓度也达到了10的18次,应该出现简并的),然后就可以分析空穴浓度变化的……

半导体掺杂费米能级不移动,求高手指点
求助.jpg
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:

已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

guaiguaizhxd

木虫 (小有名气)

★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。 2014-05-27 09:18:58
如果是InN或者InN合金的话,你掺下C试试……
FiatLux
3楼2014-05-26 14:29:26
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 8 个回答

胖九的九妹

新虫 (初入文坛)

为什么没有人来呢
2楼2014-05-26 08:21:58
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

胖九的九妹

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by guaiguaizhxd at 2014-05-26 14:29:26
如果是InN或者InN合金的话,你掺下C试试……

我算的是In的卤化物,您说的掺C是因为C原子最外层有4个电子,这样可以多提供一个电子吗?还是其他的什么原因?
感谢您的回复!谢谢谢谢!
4楼2014-05-26 16:35:44
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

guaiguaizhxd

木虫 (小有名气)

★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。 2014-05-27 09:18:48
引用回帖:
4楼: Originally posted by 胖九的九妹 at 2014-05-26 16:35:44
我算的是In的卤化物,您说的掺C是因为C原子最外层有4个电子,这样可以多提供一个电子吗?还是其他的什么原因?
感谢您的回复!谢谢谢谢!...

从氮化物的角度来讲,掺杂C一般可以补偿n型半导体实现高阻,如果要实现p型掺杂的话,要掺杂Mg。卤化屋的话就不清楚了,不过,也许你可以试下掺杂这两种元素试试。
FiatLux
5楼2014-05-26 16:57:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
信息提示
请填处理意见