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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 半导体掺杂费米能级不移动，求高手指点
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胖九的九妹

新虫 (初入文坛)

[求助] 半导体掺杂费米能级不移动，求高手指点 已有1人参与

各位虫友，最近做半导体的掺杂遇到这样的问题，求知道的不知道的都回个话，大家给点意见，小女子感激不尽
我做的是往In的化合物里面掺杂其他的阳离子来替代In的位置，第一次是用同主族的Tl来替代In，计算后发现费米能级没有移动，用origin算了载流子浓度也没有变化，我考虑可能是因为同一主族，最外层电子排布一样的原因；第二次我用Ag替代In原子，我理解的是理论上来说Ag最外层只有一个电子，但是In最外层有三个电子，那是不是可以提高空穴的浓度呢，但是计算结果发现：费米能级还是没有动，在价带顶的位置，未掺杂和掺杂后的居然重合了…………这样我就不知道该怎么分析了……
本来预期的结果应该是费米能级往价带里面移动（我建的胞不大，掺杂一个浓度也达到了10的18次，应该出现简并的），然后就可以分析空穴浓度变化的……

半导体掺杂费米能级不移动，求高手指点
求助.jpg
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1楼 2014-05-25 10:35:33
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guaiguaizhxd

木虫 (小有名气)
★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。 2014-05-27 09:18:48
引用回帖:
4楼: Originally posted by 胖九的九妹 at 2014-05-26 16:35:44
我算的是In的卤化物，您说的掺C是因为C原子最外层有4个电子，这样可以多提供一个电子吗？还是其他的什么原因？
感谢您的回复！谢谢谢谢！...

从氮化物的角度来讲，掺杂C一般可以补偿n型半导体实现高阻，如果要实现p型掺杂的话，要掺杂Mg。卤化屋的话就不清楚了，不过，也许你可以试下掺杂这两种元素试试。
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FiatLux
5楼2014-05-26 16:57:53
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胖九的九妹

新虫 (初入文坛)
为什么没有人来呢
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2楼2014-05-26 08:21:58
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guaiguaizhxd

木虫 (小有名气)
★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。 2014-05-27 09:18:58
如果是InN或者InN合金的话，你掺下C试试……
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FiatLux
3楼2014-05-26 14:29:26
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胖九的九妹

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by guaiguaizhxd at 2014-05-26 14:29:26
如果是InN或者InN合金的话，你掺下C试试……

我算的是In的卤化物，您说的掺C是因为C原子最外层有4个电子，这样可以多提供一个电子吗？还是其他的什么原因？
感谢您的回复！谢谢谢谢！
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4楼2014-05-26 16:35:44
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