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janet2012222金虫 (小有名气)
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[交流]
感觉VASP计算缺陷存在很大问题
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最近我用VASP在重复一篇盐岩结构的TiN因为缺陷在Ti3N4的时候由金属性转变为绝缘体的情况。一个晶胞去掉一个钛原子形成Ti3N4，用VASP不加对成性进行优化，无论使用或不使用LDA+U都得不到金属性质。后来发现VASP的离子弛豫（ISIF=3)之后，原子位置和晶胞参数（角度一直是90度）几乎不发生改变，也就是结构扭曲很小。而文献用FLAPW方法LDA+U计算得到的结构比较扭曲，是半导体性质。而我用CASTEP和Dmol3优化结构很明显扭曲但也不是半导体性质。 我怀疑过自己参数设置有问题，但经过老师检查参数设置没问题。进过一年多VASP的学习，我觉得VASP在优化缺陷方面真的不好。也许我计算时又很多不足。在这里请教大家是怎么做到让离子充分弛豫的。 |
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mywai520
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
janet2012222: 金币+1, 我感觉CASTEP最靠谱。 2014-04-24 08:55:35
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
janet2012222: 金币+1, 我感觉CASTEP最靠谱。 2014-04-24 08:55:35
| 个人认为，第一性原理用密度泛函理论的软件中，vasp是最靠谱的。你的缺陷优化不出来，不是vasp做缺陷不好，而是你的模型真的不好说。这么高的浓度，那么缺陷和缺陷之间的相互作用也太大了，你是要研究它们之间的相互作用吗？这种情况下，超包是必须的。至于你用其他软件优化说能得到你想要的，我想你的参数更精细。还有FLAPW是全电子势软件，它不要太多的原子就能模拟大体系，也不可能计算太多的原子。这篇文章的参杂浓度这么高，也不知道怎么通过审稿的。 |
6楼2014-04-24 08:23:00
oxox6085
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