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mxiangying

新虫 (小有名气)

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[交流] 【求助】VASP进行DFT+HF计算的问题？已有6人参与

本人目前用VASP基于DFT+HF方法进行半导体材料计算，遇到如下问题：

（1）在INCAR中设置了离子半径和磁矩后，按理在OUTCAR中应该输出PDOS和原子磁矩信息，可是DFT+HF计算没有给出相关信息。（以前用gga+U方法均会得到PDOS和原子磁矩信息）本人猜想用HF方法必须令NPAR不为1，而PDOS和原子磁矩信息必须令NPAR=1才能评价，两者矛盾，所以得不到PDOS和原子磁矩信息。不知这样理解对不对，是本人设置有误，还是DFT+HF方法就是这样，到底有没有办法解决。

（2）用line-mode方法设置KPOINTS文件进行能带计算，会提示有两个K点（经分析是GAMMA点）位置重合，HF拒绝计算。而同样的K点设置在GGA+U计算中毫无问题，不知应如何解决。

感觉磁性材料计算比较麻烦，+U方法毫不讲理，HF方法计算耗时，又有如上问题，希望高手指教！

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曰新月异

1楼 2010-05-14 17:44:37

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锐利的碎片

木虫 (正式写手)

star watcher

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gavinliu7390(金币+2):感谢交流！ 2010-05-14 23:17:06

HF要dft结果才能弄的吧。耗时是肯定了，要不然也不会现在才做的比较多。

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2楼2010-05-14 19:57:24

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vasp001

金虫 (正式写手)

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zzy870720z(金币+3):感谢指导，期待你更好的表现 2010-05-15 21:16:02

引用回帖:

Originally posted by mxiangying at 2010-05-14 17:44:37:
本人目前用VASP基于DFT+HF方法进行半导体材料计算，遇到如下问题：

（1）在INCAR中设置了离子半径和磁矩后，按理在OUTCAR中应该输出PDOS和原子磁矩信息，可是DFT+HF计算没有给出相关信息。（以前用gga+U方法均 ...

推荐用杂化的方法，你这套方案不对，在DFT+HF 中，计算能带结构不能用Line-mode 模式，应该这样操作：
1。先用HSE06/PBE0/B3LYP 自洽计算，得到自洽的WAVECAR ，
2。调用自洽的WAVECAR ，拷贝自洽的IBZKPT 为KPOINTS, 然后在这个文件KPOINTS 后面加上高对称的点，标注这些点的权重为0，
然后更新KPOINTS 中点的数目，注意ICHARG 不能设置为11 应设置为ICHARG =2 ，IBRION =1 ,NELMIN =5 or 其他值，重新做一次非自洽的计算。
得到能带数据，仅取高对称的点做能带图，即可。

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一定要精通MaterialsStudios,VASP.

3楼2010-05-15 05:43:00

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