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707462558

银虫 (著名写手)

[求助] GGA+u对于不同的材料作用不一样吗 已有4人参与

发现很多文献对于TiO2用GGA+U是这样说的
1、“由于密度泛函理论并没有考虑到交换关联势的连续性,导致采用GGA或 LDA 方法计算得到的半导体的禁带宽度一般要小于实验测量值”


2、而对于ZnO则是说的是“采用GGA+U修正Zn-3d电子的强相关作用”

3、 还有文献中提到在DFT中,由于求解Kohn—Sham的方程没有考虑体系的激发态,使得价带及基态以上的能级位置
偏低,而价带及价带以下的能级与实验一致,这就导致基本带隙宽度与实验值有差别。

不知道这几中说法是一致的,还是GGA+u对于不同的材料作用不一样。
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur


sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2014-02-10 09:46:38
个人觉得Hubbard U同种元素不同体系都不一样,给了它凑数的用途。最早应该是用于描述强关联的,除了修正关联能,对自作用,渐进行为等问题也有一定的修正。似乎也从来没有对取值合理性的物理描述。

一点点个人的观点。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
2楼2014-02-08 02:18:28
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707462558

银虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 卡开发发 at 2014-02-08 02:18:28
个人觉得Hubbard U同种元素不同体系都不一样,给了它凑数的用途。最早应该是用于描述强关联的,除了修正关联能,对自作用,渐进行为等问题也有一定的修正。似乎也从来没有对取值合理性的物理描述。

一点点个人的 ...

3楼2014-02-09 10:06:52
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707462558

银虫 (著名写手)

4楼2014-02-09 21:26:37
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凯凯kevin

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
顶顶吧
你的问题太专业了
5楼2014-02-09 22:13:37
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707462558

银虫 (著名写手)

由于GGA 和LDA对交换关联能的近似处理,这两种方法往往会错误的低估半导体或绝缘体的禁带宽度,如计算得到的 TiO2带隙仅为2.0eV,远小于实验测量值
无论生活和你开了多大的玩笑我们都得继续生活
6楼2014-02-09 23:42:12
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golddoushi

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢指教 2014-02-10 07:33:10
707462558: 金币+3 2014-02-10 18:06:59
+U主要是给电子间的库伦排斥势加这么一项能量。也就是所谓的强关联电子能量,这是物理模型不是凑数,也有办法计算出体系确切的U值。具体可参考这个帖子
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=5237955&fpage=1
而对激发态的修正不是+U的事
我以前算锐钛矿也算的2.几带隙,貌似要加6.几的U才能算出3.3的带隙,而且还跟K点有关。。。现在一般都用杂化泛函算,直接就能算准
7楼2014-02-10 02:27:26
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707462558

银虫 (著名写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by golddoushi at 2014-02-10 02:27:26
+U主要是给电子间的库伦排斥势加这么一项能量。也就是所谓的强关联电子能量,这是物理模型不是凑数,也有办法计算出体系确切的U值。具体可参考这个帖子
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=5237955&fpag ...

谢谢
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8楼2014-02-10 18:07:06
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur

杂化泛函很准确,HSE奇准无比,但相应代价也很大,原理差不多,渐进行为修正和自作用抵消,强关联的时候反倒是需要减小比例。local functional 当中Truhlar的M11L他们组测试的结果表明band gap略比HSE差一些,是个meta-GGA,但是很少有见到固体计算程序有包含,倒是Gaussian这些程序里面用的比较多。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
9楼2014-02-10 23:48:39
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707462558

银虫 (著名写手)

10楼2014-02-14 11:16:50
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