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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » GGA+u对于不同的材料作用不一样吗
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707462558

银虫 (著名写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by 卡开发发 at 2014-02-10 23:48:39
杂化泛函很准确，HSE奇准无比，但相应代价也很大，原理差不多，渐进行为修正和自作用抵消，强关联的时候反倒是需要减小比例。local functional 当中Truhlar的M11L他们组测试的结果表明band gap略比HSE差一些，是个m ...

嗯  现在就是杂化泛函太贵了 所以想给这种方法一个合理的解释
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无论生活和你开了多大的玩笑我们都得继续生活
11楼2014-02-14 11:17:58
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur
前两个说法没问题，都是由于functional的渐进性造成的，导致该宽的不宽，该窄的不窄。。。第三个问题是因为价带及其以上的计算的gap错误，导致即便考虑激发态修正也得不到好的结果。

当然，修改U确实能凑实验值，gap准确未必能保证其他性质准确。

本人水平有限，哪里不对还希望前辈批评指正。
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不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。
12楼2014-02-14 13:34:27
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

1、“由于密度泛函理论并没有考虑到交换关联势的连续性，导致采用GGA或 LDA 方法计算得到的半导体的禁带宽度一般要小于实验测量值”

-- 这是从LDA/GGA后的势能曲线的表现来说的。势能曲线连续性错误的直接结果就是Gap宽度偏小，这一点对所有材料都成立。

2、而对于ZnO则是说的是“采用GGA+U修正Zn-3d电子的强相关作用”
-- 强相关是LDA/GGA无法正确描述的作用，和连续性错误不一样，只有某些体系（d、f电子）这个才有显著贡献。

3、 还有文献中提到在DFT中，由于求解Kohn—Sham的方程没有考虑体系的激发态，使得价带及基态以上的能级位置偏低，而价带及价带以下的能级与实验一致，这就导致基本带隙宽度与实验值有差别。
-- 这个属于事实正确但逻辑关系有问题。计算带隙不一定需要考虑激发态。
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13楼2014-02-15 00:06:02
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JJ20

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
707462558: 金币+4, ★★★很有帮助 2014-02-16 18:07:12
这个是我前段时间在网上找到的，有点多还没有看，应该还不错
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    • 2014-02-15 10:44:41, 1.92 M
选择放弃只为保留尊严
14楼2014-02-15 10:45:36
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707462558

银虫 (著名写手)
引用回帖:
14楼: Originally posted by JJ20 at 2014-02-15 10:45:36
这个是我前段时间在网上找到的，有点多还没有看，应该还不错

谢谢
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无论生活和你开了多大的玩笑我们都得继续生活
15楼2014-02-16 18:07:18
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707462558

银虫 (著名写手)
还有这种说法
GGA+u对于不同的材料作用不一样吗
Y73MT)2E02U}XWB3352%OOE.jpg
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无论生活和你开了多大的玩笑我们都得继续生活
16楼2014-03-12 10:53:40
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魔仙堡长

禁虫
本帖内容被屏蔽
17楼2022-06-14 02:58:20
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