| 查看: 1937 | 回复: 16 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
[求助]
GGA+u对于不同的材料作用不一样吗 已有4人参与
|
||
|
发现很多文献对于TiO2用GGA+U是这样说的 1、“由于密度泛函理论并没有考虑到交换关联势的连续性,导致采用GGA或 LDA 方法计算得到的半导体的禁带宽度一般要小于实验测量值” 2、而对于ZnO则是说的是“采用GGA+U修正Zn-3d电子的强相关作用” 3、 还有文献中提到在DFT中,由于求解Kohn—Sham的方程没有考虑体系的激发态,使得价带及基态以上的能级位置 偏低,而价带及价带以下的能级与实验一致,这就导致基本带隙宽度与实验值有差别。 不知道这几中说法是一致的,还是GGA+u对于不同的材料作用不一样。 |
» 猜你喜欢
论文终于录用啦!满足毕业条件了
已经有12人回复
2025年遐想
已经有4人回复
投稿Elsevier的杂志(返修),总是在选择OA和subscription界面被踢皮球
已经有8人回复
求个博导看看
已经有18人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
MS6.0中DFT-D和GGA+U的区别
已经有4人回复

|
本帖内容被屏蔽 |
17楼2022-06-14 02:58:20







回复此楼