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GGA+u对于不同的材料作用不一样吗 已有4人参与
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发现很多文献对于TiO2用GGA+U是这样说的 1、“由于密度泛函理论并没有考虑到交换关联势的连续性，导致采用GGA或 LDA 方法计算得到的半导体的禁带宽度一般要小于实验测量值” 2、而对于ZnO则是说的是“采用GGA+U修正Zn-3d电子的强相关作用” 3、 还有文献中提到在DFT中，由于求解Kohn—Sham的方程没有考虑体系的激发态，使得价带及基态以上的能级位置 偏低，而价带及价带以下的能级与实验一致，这就导致基本带隙宽度与实验值有差别。 不知道这几中说法是一致的，还是GGA+u对于不同的材料作用不一样。 |
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707462558: 金币+3 2014-02-10 18:06:59
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707462558: 金币+3 2014-02-10 18:06:59
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+U主要是给电子间的库伦排斥势加这么一项能量。也就是所谓的强关联电子能量，这是物理模型不是凑数，也有办法计算出体系确切的U值。具体可参考这个帖子 http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=5237955&fpage=1 而对激发态的修正不是+U的事 我以前算锐钛矿也算的2.几带隙，貌似要加6.几的U才能算出3.3的带隙，而且还跟K点有关。。。现在一般都用杂化泛函算，直接就能算准 |
7楼2014-02-10 02:27:26
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