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707462558

银虫 (著名写手)

[求助] GGA+u对于不同的材料作用不一样吗 已有4人参与

发现很多文献对于TiO2用GGA+U是这样说的
1、“由于密度泛函理论并没有考虑到交换关联势的连续性,导致采用GGA或 LDA 方法计算得到的半导体的禁带宽度一般要小于实验测量值”


2、而对于ZnO则是说的是“采用GGA+U修正Zn-3d电子的强相关作用”

3、 还有文献中提到在DFT中,由于求解Kohn—Sham的方程没有考虑体系的激发态,使得价带及基态以上的能级位置
偏低,而价带及价带以下的能级与实验一致,这就导致基本带隙宽度与实验值有差别。

不知道这几中说法是一致的,还是GGA+u对于不同的材料作用不一样。
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707462558

银虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 卡开发发 at 2014-02-08 02:18:28
个人觉得Hubbard U同种元素不同体系都不一样,给了它凑数的用途。最早应该是用于描述强关联的,除了修正关联能,对自作用,渐进行为等问题也有一定的修正。似乎也从来没有对取值合理性的物理描述。

一点点个人的 ...

3楼2014-02-09 10:06:52
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur


sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2014-02-10 09:46:38
个人觉得Hubbard U同种元素不同体系都不一样,给了它凑数的用途。最早应该是用于描述强关联的,除了修正关联能,对自作用,渐进行为等问题也有一定的修正。似乎也从来没有对取值合理性的物理描述。

一点点个人的观点。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
2楼2014-02-08 02:18:28
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凯凯kevin

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
顶顶吧
你的问题太专业了
5楼2014-02-09 22:13:37
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707462558

银虫 (著名写手)

由于GGA 和LDA对交换关联能的近似处理,这两种方法往往会错误的低估半导体或绝缘体的禁带宽度,如计算得到的 TiO2带隙仅为2.0eV,远小于实验测量值
无论生活和你开了多大的玩笑我们都得继续生活
6楼2014-02-09 23:42:12
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