| 查看: 1928 | 回复: 16 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[求助]
GGA+u对于不同的材料作用不一样吗 已有4人参与
|
|||
|
发现很多文献对于TiO2用GGA+U是这样说的 1、“由于密度泛函理论并没有考虑到交换关联势的连续性，导致采用GGA或 LDA 方法计算得到的半导体的禁带宽度一般要小于实验测量值” 2、而对于ZnO则是说的是“采用GGA+U修正Zn-3d电子的强相关作用” 3、 还有文献中提到在DFT中，由于求解Kohn—Sham的方程没有考虑体系的激发态，使得价带及基态以上的能级位置 偏低，而价带及价带以下的能级与实验一致，这就导致基本带隙宽度与实验值有差别。 不知道这几中说法是一致的，还是GGA+u对于不同的材料作用不一样。 |
回复此楼» 猜你喜欢
毕业后当辅导员了，天天各种学生超烦
已经有5人回复
-
职称评审没过，求安慰
已经有50人回复
-
26申博自荐
已经有3人回复
-
A期刊撤稿
已经有4人回复
-
垃圾破二本职称评审标准
已经有17人回复
-
投稿Elsevier的Neoplasia杂志，到最后选publishing options时页面空白，不能完成投稿
已经有22人回复
-
EST投稿状态问题
已经有7人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- MS6.0中DFT-D和GGA+U的区别
已经有4人回复
6楼2014-02-09 23:42:12
卡开发发
专家顾问 (著名写手)
Ab Initio Amateur
-
专家经验: +224 - 1ST强帖: 2
- 应助: 47 (小学生)
- 金币: 3488.8
- 散金: 14
- 红花: 223
- 帖子: 2477
- 在线: 1253.7小时
- 虫号: 1369423
- 注册: 2011-08-16
- 性别: GG
- 专业: 金属材料的磨损与磨蚀
- 管辖: 第一性原理
2楼2014-02-08 02:18:28
 |
3楼2014-02-09 10:06:52
5楼2014-02-09 22:13:37