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GGA+u对于不同的材料作用不一样吗 已有4人参与
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发现很多文献对于TiO2用GGA+U是这样说的 1、“由于密度泛函理论并没有考虑到交换关联势的连续性，导致采用GGA或 LDA 方法计算得到的半导体的禁带宽度一般要小于实验测量值” 2、而对于ZnO则是说的是“采用GGA+U修正Zn-3d电子的强相关作用” 3、 还有文献中提到在DFT中，由于求解Kohn—Sham的方程没有考虑体系的激发态，使得价带及基态以上的能级位置 偏低，而价带及价带以下的能级与实验一致，这就导致基本带隙宽度与实验值有差别。 不知道这几中说法是一致的，还是GGA+u对于不同的材料作用不一样。 |
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【答案】应助回帖
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1、“由于密度泛函理论并没有考虑到交换关联势的连续性，导致采用GGA或 LDA 方法计算得到的半导体的禁带宽度一般要小于实验测量值” -- 这是从LDA/GGA后的势能曲线的表现来说的。势能曲线连续性错误的直接结果就是Gap宽度偏小，这一点对所有材料都成立。 2、而对于ZnO则是说的是“采用GGA+U修正Zn-3d电子的强相关作用” -- 强相关是LDA/GGA无法正确描述的作用，和连续性错误不一样，只有某些体系（d、f电子）这个才有显著贡献。 3、 还有文献中提到在DFT中，由于求解Kohn—Sham的方程没有考虑体系的激发态，使得价带及基态以上的能级位置偏低，而价带及价带以下的能级与实验一致，这就导致基本带隙宽度与实验值有差别。 -- 这个属于事实正确但逻辑关系有问题。计算带隙不一定需要考虑激发态。 |
13楼2014-02-15 00:06:02
卡开发发
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2楼2014-02-08 02:18:28
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3楼2014-02-09 10:06:52
5楼2014-02-09 22:13:37
